[发明专利]金属氧化物半导体层的结晶方法、半导体结构、主动阵列基板、及氧化铟镓锌晶体

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体层的结晶方法，其特征在于，包含：

形成一非结晶金属氧化物半导体层于一基板上方；

形成一第一氧化物层于该非结晶金属氧化物半导体层上；

形成一非晶硅层于该第一氧化物层上；以及

以一激光照射该非晶硅层，以加热该非晶硅层，受热的该非晶硅层加热该非结晶金属氧化物半导体层，使该非结晶金属氧化物半导体层转变为一结晶化金属氧化物半导体层。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体层的结晶方法，其特征在于，该结晶方法所得晶体为氧化铟镓锌晶体，该氧化铟镓锌晶体的化学式为InGaZnO₄；该氧化铟镓锌晶体属于三斜晶系，空间群为P1，Z＝1，晶格常数a在至范围内，晶格常数b在至范围内，晶格常数c在至的范围内，晶轴夹角α在59.00°至61.00°的范围内，晶轴夹角β在69.84°至71.84°的范围内，晶轴夹角γ在59.51至61.51°的范围内。

3.一种半导体结构，其特征在于，包含：

一基板；

一第一栅极，位于该基板上；

一栅极绝缘层，位于该第一栅极上；

一结晶化金属氧化物半导体层，位于该栅极绝缘层上；以及

一第一源极及一第一漏极，位于该结晶化金属氧化物半导体层上；

其中，该结晶化金属氧化物半导体层的形成是以一激光照射一非晶硅层，以加热该非晶硅层，受热的该非晶硅层加热一非结晶金属氧化物半导体层，使该非结晶金属氧化物半导体层转变为该结晶化金属氧化物半导体层；该结晶化金属氧化物半导体层包含多个金属氧化物半导体晶粒，该些金属氧化物半导体晶粒各具有一结晶轴，该些结晶轴约相互平行。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，该结晶轴约垂直于该结晶化金属氧化物半导体层的一表面。

5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，各该金属氧化物半导体晶粒为一层状结构，该层状结构的一层面约平行于该结晶化金属氧化物半导体层的一表面。

6.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，该结晶化金属氧化物半导体层包含氧化铟镓锌、氧化铟锡锌、氧化铪铟锌或氧化铟锌。

7.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，各该金属氧化物半导体晶粒的尺寸介于1纳米至5.5纳米。

8.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，该结晶轴与该表面的一法线之间的夹角为0～7度。

9.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，进一步包含：

一氧化物层，位于该栅极绝缘层及该结晶化金属氧化物半导体层上；

一图案化多晶硅层，位于该氧化物层上；

一第一介电质层，位于该图案化多晶硅层上；

一第二栅极，位于该第一介电质层上；

一第二介电质层，位于该第二栅极上；

一第二源极，位于该第二介电质层上，贯穿过该第一介电质层及该第二介电质层以接触该图案化多晶硅层；以及

一第二漏极，位于该第二介电质层上，贯穿过该第一介电质层及该第二介电质层以接触该图案化多晶硅层，其中该第一源极位于该第二介电质层上，贯穿过该氧化物层、该第一介电质层及该第二介电质层以接触该结晶化金属氧化物半导体层，该第一漏极贯穿过该氧化物层、该第一介电质层及该第二介电质层以接触该结晶化金属氧化物半导体层，该第一源极等电位连接该第二源极。