[发明专利]基于等离子体的制程机台

说明书

技术领域

本揭露实施例是有关于一种基于等离子体的制程机台与气体分布板(gas distribution plate，GDP)，且特别是有关于一种基于等离子体的制程机台、多区气体分布板及其设计方法。

背景技术

在制造集成电路期间，执行半导体制程的多重工序，以逐步地形成电子元件于半导体基板上。一个这种半导体制程为基于等离子体的蚀刻。基于等离子体的蚀刻是从工件移除材料的制程，所述的移除是通过把化学反应等离子体应用至工件和/或通过以等离子体粒子来撞击工件。基于等离子体的蚀刻可根据波希(Bosch)制程来使用以形成深且高的非等向性的孔洞或沟槽，这使得基于等离子体的蚀刻经常使用于制造微机电系统(microelectromechanical systems，MEMS)装置的期间。

发明内容

本揭露提出一种基于等离子体的制程机台，包含：外壳和气体分布板。外壳界定出处理室且包含用以接收处理气体的气体入口。气体分布板设置于处理室中且用以在处理室内分布处理气体，其中气体分布板包含延伸贯穿气体分布板的多个孔洞，且更包含这些孔洞被分组而成的多个区块，其中这些区块包含第一区块和第二区块，且其中第一区块的孔洞具有第一剖面，且第二区块的孔洞具有不同于第一剖面之第二剖面。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

从以下结合所附的附图所做的详细描述，可对本揭露的态样有更佳的了解。需注意的是，根据业界的标准实务，各特征并未依比例绘示。事实上，为了使讨论更为清楚，各特征的尺寸都可任意地增加或减少。

图1绘示有两个区块的多区气体分布板的一些实施例的透视图；

图2A绘示图1的多区气体分布板中的孔洞的剖视图，其对应于多区气体分布板的第一区块；

图2B绘示图1的多区气体分布板中的孔洞的剖视图，其对应于多区气体分布板的第二区块；

图3绘示图1的多区气体分布板的一些实施例的俯视图；

图4绘示图1的多区气体分布板的其他实施例的透视图，其中多区气体分布板的主体为圆柱形；

图5绘示图1的多区气体分布板的其他实施例的透视图，其中多区气体分布板包含三个区块；

图6绘示图5的多区气体分布板中的孔洞的剖视图，其对应于多区气体分布板的第三区块；

图7绘示具多区气体分布板的基于等离子体的制程机台的一些实施例的剖视图；

图8A、图9A和图10A绘示一种使用多区气体分布板在基板形成半导体元件特征的方法的一些实施例的一列的俯视图；

图8B、图9B和图10B绘示一种使用多区气体分布板在基板形成半导体元件特征的方法的一些实施例的一列的剖视图；

图11绘示图8A、图8B、图9A、图9B、图10A和图10B的方法的一些实施例的流程图；

图12绘示具曝光图的微影制程机台的一些实施例的剖视图；

图13A绘示以多区气体分布板形成微机电系统装置的剖视图；

图13B绘示用多区气体分布板形成的微机电系统装置的俯视图；

图14绘示设计多区气体分布板的方法的方框图；

图15绘示图14的方法的流程图；

图16绘示设计曝光图的方法的方框图；

图17绘示图16的方法的流程图。

其中，附图标记

100、400、500：透视图

102：多区气体分布板

104：主体

106、106a～106c：孔洞

108a～108c：区块

200A、200B、600、700、800B、900B、1000B、1300A：剖视图202a～202c：第一区域

204a～204c：第二区域

206a～206c：转换区域

300、800A、900A、1000A、1300B：俯视图

302a～302b：圆

702、1218：控制器

704：外壳

706：处理室

706a：下区域

706b：上区域

708：工件支撑物

710：排气泵

712：气体出口

714：工件

714a：初始工件

714b：所得的工件

716：第一射频源