[发明专利]具有大钻石单晶的组合式修整器

说明书

技术领域

本发明涉及一种组合式修整器，尤指一种具有大钻石单晶的组合式修整器。

背景技术

在半导体工业中，特别在目前线宽越来越小的发展趋势下，晶圆表面的平坦化步骤更为关键，目前高阶制程已全面使用化学机械研磨技术来达到全面平坦化效果。

但在化学机械研磨制程中因为抛光垫会不断的和晶圆产生摩擦，使得抛光垫上的沟纹逐渐消失，且化学机械研磨制程中产生的切削、反应生成物等都会渐渐积存在抛光垫表面的细微沟槽中，容易造成抛光垫钝化、堵塞，导致抛光垫表面劣化，容易对晶圆产生缺陷，因此，研磨垫修整器(pad dresser)遂成为化学机械研磨(CMP)制程维持晶圆平坦性、均匀性的关键，用以适度的修整抛光垫，好让抛光垫可以恢复原本的表面特性。

发明内容

为了达成上述目的，本发明提供一种具有大钻石单晶的组合式修整器，其特征在于，包括：

一大基板；

复数个研磨单元，系设置于该大基板之一表面，该研磨单元包括一小基板以及复数个设置于该小基板上的大钻石研磨颗粒，该大钻石研磨颗粒具有一不小于300微米的粒径；以及

一厚度可调节之黏着剂层，系固定该些研磨单元于该大基板之该表面，其中，最高的该研磨单元中的大钻石研磨颗粒的尖点与次高的该研磨单元中的大钻石研磨颗粒的尖点的高度差小于20微米，单一研磨单元中的大钻石研磨颗粒的第一高的尖点与第十高的尖点之高度差小于20微米，单一研磨单元中的大钻石研磨颗粒的第一高的尖点与第一百高的尖点之高度差小于40微米，且该第一高的尖点的突出高度大于50微米。

因此，相较于习知技术的化学机械研磨垫修整器，本发明采用了粒径不小于300微米的大钻石研磨颗粒，相较于习知粒径较小的钻石研磨颗粒的修整器，本发明的大钻石研磨颗粒的突出量可以更多，且尖锐端的体积更多，研磨颗粒埋入该基板的深度也更多，故可以大幅延长化学机械研磨垫修整器的使用寿命，并具有更好的修整性能；且，本发明透过该黏着剂层将化学机械研磨垫修整器的结构设计为最高的该研磨单元中的大钻石研磨颗粒的尖点与次高的该研磨单元中的大钻石研磨颗粒的尖点的高度差小于20微米，单一研磨单元中的大钻石研磨颗粒的第一高的尖点与第十高的尖点之高度差小于20微米，单一研磨单元中的大钻石研磨颗粒的第一高的尖点与第一百高的尖点之高度差小于40微米，且该第一高的尖点的突出高度大于50微米，亦较习知修整器具有更佳的平坦度，能提供更为均匀、一致且稳定的修整表现。

附图说明

图1为本发明一实施例的剖面示意图；

图2为本发明一实施例的俯视示意图；

其中，10、大基板；11、表面；20、研磨单元；21、小基板；22、大钻石研磨颗粒；30、黏着剂层；40、封胶层。

具体实施方式

于下文中，将搭配图式详细说明本发明。

请参考图1，本发明为一种具有大钻石单晶的组合式修整器，包括一大基板10、复数个研磨单元20以及一厚度可调节之黏着剂层30，该研磨单元20设置于该大基板10之一表面11，该研磨单元20分别包括一小基板21以及复数个设置于该小基板21上的大钻石研磨颗粒22，该大钻石研磨颗粒22具有一不小于300微米的粒径。该黏着剂层30用于将该研磨单元20于固定该大基板10之该表面11。在本实施例中，该黏着剂层30可为环氧树脂，且该组合式修整器可进一步包括一封胶层40，增加该研磨单元20于该大基板10上之固定。

于本实施例中，该研磨单元20的数量为12个，如图2所示之编号1至编号12，呈单圈排列。于本发明中，最高的该研磨单元20中的大钻石研磨颗粒22的尖点与次高的该研磨单元20中的大钻石研磨颗粒22的尖点的高度差小于20微米。最高的该研磨单元20系指全部的大钻石研磨颗粒22中，最高者所处的该研磨单元20；次高的该研磨单元20系指全部的大钻石研磨颗粒22中，次高者所处的该研磨单元20，然此处的该研磨单元20系与最高的该研磨单元20为相异者，例如分别为编号1和编号2的研磨单元20。