[发明专利]一种深蓝光有机铱(Ⅲ)配合物OLED器件有效

专利信息
申请号: 201710062526.6 申请日: 2017-01-24
公开(公告)号: CN107026242B 公开(公告)日: 2018-08-17
发明(设计)人: 刘志伟;常桥稳;卞祖强;晏彩先;李晓悦;赵子丰;刘伟平 申请(专利权)人: 昆明贵金属研究所
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54
代理公司: 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 代理人: 赛晓刚
地址: 650106 云南省昆明*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 深蓝 有机 配合 oled 器件
【权利要求书】:

1.一种有机铱(Ⅲ)配合物磷光材料,其特征在于:所述有机铱(Ⅲ)配合物磷光材料为以苯基三唑衍生物为配体的铱(III)配合物,结构式如A所示:

A:

其中:R为氢或氟;

当R为氢时,铱(III)配合物为Ir(dpt)3

当R为氟时,铱(III)配合物为Ir(fdpt)3

2.一种有机电致发光器件,利用权利要求1所述有机铱(Ⅲ)配合物磷光材料,其特征在于所述器件包括:

1)阳极;

2)空穴注入层;

3)空穴传输层;

4)发光层;

5)空穴阻挡层;

6)电子传输层;

7)电子注入层;

8)阴极;

其中:所述发光层是具有式A结构的有机铱(Ⅲ)配合物掺杂DPEPO形成的发光层,

A:

3.一种如权利要求2所述的有机电致发光器件,其特征在于:

1)所述阳极为氧化铟锡(ITO)导电玻璃层;

2)所述空穴注入层为MoO3层;

3)所述空穴传输层具有双层结构,所述双层结构依次为MoO3掺杂的mCP:MoO3层和纯mCP层;

4)所述空穴阻挡层为纯DPEPO层;

5)所述电子传输层为TPBi层;

6)所述电子注入层为LiF层;

7)所述阴极为金属铝层。

4.一种如权利要求3所述的有机电致发光器件,其特征在于:

1)所述空穴注入层厚度为0.8-1.3nm;

2)所述空穴传输层中:mCP:MoO3层MoO3的掺杂浓度为15-25%,厚度为5-15nm,纯mCP层的厚度为25-35nm;

3)所述发光层有机铱(Ⅲ)配合物的掺杂浓度为10-15%,厚度为20nm;

4)所述空穴阻挡层厚度为5-15nm;

5)所述电子传输层厚度为25-35nm;

6)所述电子注入层厚度为0.5-1.5nm;

7)所述阴极厚度为80-120nm。

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