[发明专利]一种深蓝光有机铱(Ⅲ)配合物OLED器件有效
申请号: | 201710062526.6 | 申请日: | 2017-01-24 |
公开(公告)号: | CN107026242B | 公开(公告)日: | 2018-08-17 |
发明(设计)人: | 刘志伟;常桥稳;卞祖强;晏彩先;李晓悦;赵子丰;刘伟平 | 申请(专利权)人: | 昆明贵金属研究所 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 | 代理人: | 赛晓刚 |
地址: | 650106 云南省昆明*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 深蓝 有机 配合 oled 器件 | ||
1.一种有机铱(Ⅲ)配合物磷光材料,其特征在于:所述有机铱(Ⅲ)配合物磷光材料为以苯基三唑衍生物为配体的铱(III)配合物,结构式如A所示:
A:
其中:R为氢或氟;
当R为氢时,铱(III)配合物为Ir(dpt)3;
当R为氟时,铱(III)配合物为Ir(fdpt)3。
2.一种有机电致发光器件,利用权利要求1所述有机铱(Ⅲ)配合物磷光材料,其特征在于所述器件包括:
1)阳极;
2)空穴注入层;
3)空穴传输层;
4)发光层;
5)空穴阻挡层;
6)电子传输层;
7)电子注入层;
8)阴极;
其中:所述发光层是具有式A结构的有机铱(Ⅲ)配合物掺杂DPEPO形成的发光层,
A:
3.一种如权利要求2所述的有机电致发光器件,其特征在于:
1)所述阳极为氧化铟锡(ITO)导电玻璃层;
2)所述空穴注入层为MoO3层;
3)所述空穴传输层具有双层结构,所述双层结构依次为MoO3掺杂的mCP:MoO3层和纯mCP层;
4)所述空穴阻挡层为纯DPEPO层;
5)所述电子传输层为TPBi层;
6)所述电子注入层为LiF层;
7)所述阴极为金属铝层。
4.一种如权利要求3所述的有机电致发光器件,其特征在于:
1)所述空穴注入层厚度为0.8-1.3nm;
2)所述空穴传输层中:mCP:MoO3层MoO3的掺杂浓度为15-25%,厚度为5-15nm,纯mCP层的厚度为25-35nm;
3)所述发光层有机铱(Ⅲ)配合物的掺杂浓度为10-15%,厚度为20nm;
4)所述空穴阻挡层厚度为5-15nm;
5)所述电子传输层厚度为25-35nm;
6)所述电子注入层厚度为0.5-1.5nm;
7)所述阴极厚度为80-120nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择