[发明专利]一种用于检测双酚A的适配体传感器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710063486.7 申请日: 2017-02-03
公开(公告)号: CN106841339A 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 李红东;马一博;刘钧松;王启亮;成绍恒 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: G01N27/30 分类号: G01N27/30;C23C16/27;C23C14/35;C23C14/34;C23C14/18;C23C14/58;C23C28/00
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司22201 代理人: 王恩远
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 检测 适配体 传感器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种用于检测双酚A的适配体传感器,以掺硼金刚石膜为基底,其特征在于,掺硼金刚石膜(1)上沉积金纳米颗粒(2),在金纳米颗粒(2)上自组装适配体(3),并有巯基己醇(4)占据金纳米颗粒上的适配体遗留的空白位点;所述的适配体(3),结构为

5'-SH-(CH2)6-CCG GTG GGT GGT CAG GTG GGA TAG CGT TCC GCG TAT GGC CCA GCG CAT CAC GGG TTC GCA CCA-3'。

2.按照权利要求1所述的用于检测双酚A的适配体传感器,其特征在于,所述的巯基己醇(4),是6-巯基己-1-醇。

3.按照权利要求1或2所述的用于检测双酚A的适配体传感器,其特征在于,所述的金纳米颗粒(2),平均尺寸5~10nm,金纳米颗粒密度1011~1012/cm2

4.一种权利要求1的用于检测双酚A的适配体传感器的制备方法,通过微波等离子体化学气相沉积或/和热丝化学气相沉积法在硅衬底上生长掺硼金刚石膜;然后在掺硼金刚石膜表面利用电子溅射或磁控溅射方法溅射金膜;其特征在于,将所得的金膜/掺硼金刚石膜在高温管式炉中,800~850℃退火0.5~2分钟,去离子水清洗,得到金纳米颗粒/掺硼金刚石膜结构;将2~2.5μmol/L的适配体置于干燥的金纳米颗粒/掺硼金刚石膜表面,于37~39℃下密闭8~16小时;在去离子水中浸泡清洗2~3小时,再浸入1mmol/L的巯基己醇溶液中修饰1~3小时,得到用于检测双酚A的适配体传感器。

5.按照权利要求4所述的双酚A适配体传感器的制备方法,其特征在于,所述的金纳米颗粒,平均尺寸5~10nm,金纳米颗粒密度1011~1012/cm2

6.一种权利要求1的用于检测双酚A的适配体传感器的制备方法,通过微波等离子体化学气相沉积或/和热丝化学气相沉积法在硅衬底上生长掺硼金刚石膜;然后在掺硼金刚石膜表面利用电子溅射或磁控溅射方法溅射金膜;其特征在于,将所得的金膜/掺硼金刚石膜在高温管式炉中,800~850℃退火0.5~2分钟,去离子水清洗,得到金纳米颗粒/掺硼金刚石膜结构;将2~2.5μmol/L的巯基修饰适配体置于干燥的金纳米颗粒/掺硼金刚石膜表面,于37~39℃下密闭8~16小时,用去离子水冲洗干净,得到用于检测双酚A的适配体传感器。

7.按照权利要求6所述的双酚A适配体传感器的制备方法,其特征在于,所述的金纳米颗粒,平均尺寸5~10nm,金纳米颗粒密度1011~1012/cm2

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