[发明专利]一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种硅基异质结太阳能电池，包括晶硅基片，所述晶硅基片的受光面和背面分别设置有第一本征非晶层和第二本征非晶层，所述第一本征非晶层上设置有第一掺杂层，所述第二本征非晶层上设置有第二掺杂层，所述第一掺杂层上设置有第一透明导电层，所述第二掺杂层上设置有第二透明导电层，其特征在于：

所述第一透明导电层和/或所述第二透明导电层由金属膜层和电介质膜层构成，所述电介质膜层覆盖在所述金属膜层的上下两表面，所述金属膜层的总厚度≤20nm；

所述第一掺杂层为p型掺杂层且第二掺杂层为n型掺杂层时，与第一掺杂层接触的电介质膜层的功函数≥4.5eV，和/或与第二掺杂层接触的电介质膜层的功函数≤5.0eV；

所述第一掺杂层为n型掺杂层且第二掺杂层为p型掺杂层时，与第二掺杂层接触的电介质膜层的功函数≥4.5eV，和/或与第一掺杂层接触的电介质膜层的功函数≤5.0eV。

2.一种硅基异质结太阳能电池，包括晶硅基片，所述晶硅基片的受光面设置有第一本征非晶层，所述第一本征非晶层上设置有一减反射层，所述晶硅基片的背面设置有第二本征非晶层，所述第二本征非晶层的表面区域内交错设置有第一掺杂层和第二掺杂层，所述第一掺杂层上设置有第一透明导电层，所述第二掺杂层上设置有第二透明导电层，其特征在于：

所述第一透明导电层和/或所述第二透明导电层由金属膜层和电介质膜层构成，所述电介质膜层覆盖在所述金属膜层的上下两表面；

所述第一掺杂层为p型掺杂层且第二掺杂层为n型掺杂层时，与第一掺杂层接触的电介质膜层的功函数≥4.5eV，和/或与第二掺杂层接触的电介质膜层的功函数≤5.0eV；

所述第一掺杂层为n型掺杂层且第二掺杂层为p型掺杂层时，与第二掺杂层接触的电介质膜层的功函数≥4.5eV，和/或与第一掺杂层接触的电介质膜层的功函数≤5.0eV。

3.根据权利要求2所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一本征非晶层与减反射层之间设置有一层掺杂层，所述掺杂层的导电类型与晶硅基片一致。

4.根据权利要求1或2所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于：位于金属膜层下表面的电介质膜层为金属硫族化合物膜层。

5.根据权利要求4所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于：所述金属硫族化合物膜层为硫化锌、硒化锌、硫硒化锌、硫化铟、硒化铟、硫硒化铟、硫化镉、硫化镉锌中的一种或两种以上。

6.根据权利要求1或2所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于：所述金属膜层为银膜层、金膜层、铝膜层、铜膜层、铬膜层、钼膜层、钨膜层、铌膜层或其合金材料膜层。

7.根据权利要求1或2所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于：位于金属膜层上表面的电介质膜层为氧化钛、氧化钛锡、氧化钛铌、氧化锌钛、硫化镉、硫化镉锌、硫化锌、硒化锌、硫硒化锌、氧化锌、氧化铟、氧化锡、氧化钼、氧化铌、氧化锌锡、氧化锌镁、氧化锌硅、ITO、ITIO、AZO、IWO、BZO、GZO、IZO、IGZO、IMO、氧化锡基透明导电材料或它们的任一组合中的一种。

8.根据权利要求1或2所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于：所述金属膜层为一层或双层结构；所述电介质膜层为一层或多层结构。

9.一种硅基异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括

准备晶硅基片；

在所述晶硅基片的受光面沉积第一本征非晶层；

在所述晶硅基片的背面沉积第二本征非晶层；

在所述第一本征非晶层上沉积第一掺杂层；

在所述第二本征非晶层上沉积第二掺杂层；

在所述第一掺杂层上沉积第一透明导电层；

在所述第二掺杂层上沉积第二透明导电层；

接着在所述第一透明导电层和第二透明导电层上分别形成栅电极，所述第一透明导电层和/或所述第二透明导电层由金属膜层和电介质膜层构成，所述电介质膜层覆盖在所述金属膜层的上下两表面，所述金属膜层的总厚度≤20nm；

所述第一掺杂层为p型掺杂层且第二掺杂层为n型掺杂层时，与第一掺杂层接触的电介质膜层的功函数≥4.5eV，和/或与第二掺杂层接触的电介质膜层的功函数≤5.0eV；

所述第一掺杂层为n型掺杂层且第二掺杂层为p型掺杂层时，与第二掺杂层接触的电介质膜层的功函数≥4.5eV，和/或与第一掺杂层接触的电介质膜层的功函数≤5.0eV。