[发明专利]π电子轨域半导体型量子电池

权利要求书

1.π电子轨域半导体型量子电池，其特征在于，自下而上包括：N型欧姆接触电极、N型π电子轨域半导体基板和N型π电子轨域半导体外延层，

SiO₂钝化层设于N型π电子轨域半导体外延层的上表面两侧，

石墨接触层设于N型π电子轨域半导体外延层的上表面中部，

放射性同位素源层设于石墨接触层上方，

肖特基接触电极设于SiO₂钝化层与石墨接触层相邻处的上方，

键合层设于肖特基接触电极上方，其中，

N型π电子轨域半导体基板是含芳香族结构的有机半导体基板或含碳键结构的半导体基板，

N型π电子轨域半导体外延层的掺杂浓度为1×10¹³～5×10¹⁴cm^-3，掺杂浓度是通过注入剂量为6×10¹³～1×10¹⁵cm^-2的阳离子错合物所形成。

2.根据权利要求1所述的π电子轨域半导体型量子电池，其特征在于，N型π电子轨域半导体外延层的厚度为3～5μm。

3.根据权利要求1所述的π电子轨域半导体型量子电池，其特征在于，放射性同位素源层为镍-63层、钸-238层、锔-244层、锔-242层、铀-235层、铀-238层中的一种。

4.根据权利要求1所述的π电子轨域半导体型量子电池，其特征在于，N型欧姆接触电极为石墨电极。

5.根据权利要求1所述的π电子轨域半导体型量子电池，其特征在于，肖特基接触电极为Ni电极、Pt电极、Au电极、石墨电极中的一种。