[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有大于或等于3个阶层的电极，

该半导体装置的特征在于，具有：

半导体衬底；

外延层，其形成于所述半导体衬底之上；

晶体管，其形成于所述外延层；

源极电极，其形成于所述外延层之上，与所述晶体管的源极电连接；以及

栅极引出电极，其形成于所述外延层之上，与所述晶体管的栅极电连接，

所述源极电极具有：

第1源极电极；

第2源极电极，其是第2阶层或者更高阶层的电极，形成于所述第1源极电极之上；以及

第3源极电极，其是第3阶层或者更高阶层的电极，形成于所述第2源极电极之上，且形成于所述栅极引出电极的上方，

所述栅极引出电极是第2阶层或者更高阶层的电极，形成于所述第1源极电极之上，所述栅极引出电极的周围被所述第1、第2及第3源极电极包围。

2.一种半导体装置，其具有大于或等于2个阶层的电极，

该半导体装置的特征在于，具有：

半导体衬底；

外延层，其形成于所述半导体衬底之上，形成有源极沟槽；

晶体管，其形成于所述外延层；

源极电极，其形成于所述外延层之上，与所述晶体管的源极电连接；以及

栅极引出电极，其形成于所述外延层之上，与所述晶体管的栅极电连接，

所述源极电极具有：

第1源极电极，其形成于所述源极沟槽内；以及

第2源极电极，其是第2阶层或者更高阶层的电极，形成于所述第1源极电极之上，且形成于所述栅极引出电极的上方，

所述栅极引出电极形成于所述第1源极电极之上，所述栅极引出电极的周围被所述第1及第2源极电极包围。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

还具有在所述栅极引出电极和所述源极电极之间形成的绝缘膜。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述栅极引出电极和所述源极电极之间是中空构造。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，具有：

漏极电极，其形成于所述外延层之上，与所述晶体管的漏极电连接；以及

源极焊盘，其形成于所述漏极电极的上方，与所述源极电极电连接，

所述漏极电极和所述源极焊盘之间是与所述栅极引出电极的周围的中空构造进行了电磁屏蔽的单独的中空构造。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述源极焊盘形成为将所述晶体管的有源部的上方覆盖。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，具有：

源极接触孔，其将所述源极电极和所述源极焊盘电连接；

栅极焊盘，其与所述栅极引出电极电连接；

漏极焊盘，其与所述漏极电极电连接；以及

在所述源极焊盘、所述栅极焊盘以及所述漏极焊盘之上分别形成的源极凸块电极、栅极凸块电极以及漏极凸块电极，

所述源极凸块电极形成于所述源极接触孔的正上方。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，具有：

源极接触孔，其将所述源极电极和所述源极焊盘电连接；

栅极焊盘，其与所述栅极引出电极电连接；

漏极焊盘，其与所述漏极电极电连接；以及

在所述源极焊盘、所述栅极焊盘以及所述漏极焊盘之上分别形成的源极凸块电极、栅极凸块电极以及漏极凸块电极，

所述源极凸块电极形成于所述源极接触孔的正上方。