[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基底，包括第一有源区域、第二有源区域和场绝缘膜，所述场绝缘膜在第一有源区域与第二有源区域之间直接接触第一有源区域和第二有源区域；以及

栅电极结构，在基底上横越第一有源区域、第二有源区域和场绝缘膜，

其中，第一有源区域和第二有源区域中的每个包括鳍式图案，

其中，栅电极结构包括第一部分、第二部分和第三部分，其中，第一部分横跨第一有源区域和场绝缘膜设置，第二部分横跨第二有源区域和场绝缘膜设置，第三部分在场绝缘膜上直接接触第一部分和第二部分，

其中，栅电极结构还包括栅电极，所述栅电极包括横越第一有源区域、场绝缘膜和第二有源区域的插入膜以及设置在插入膜上的填充膜，

其中，在栅电极结构的第三部分中的栅电极的厚度大于在栅电极结构的第一部分中的栅电极的厚度，

其中，在栅电极结构的第三部分中的栅电极的厚度大于在栅电极结构的第二部分中的栅电极的厚度，

其中，在栅电极结构的第一部分中的栅电极的厚度不同于在栅电极结构的第二部分中的栅电极的厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一有源区域包括p型晶体管的沟道区域，第二有源区域包括n型晶体管的沟道区域。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，在栅电极结构的第一部分中的栅电极的厚度小于在栅电极结构的第二部分中的栅电极的厚度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括栅极绝缘膜，栅极绝缘膜在基底与栅电极结构之间横越第一有源区域、第二有源区域和场绝缘膜，

其中，栅电极结构还包括设置在栅极绝缘膜上的导电膜和设置在导电膜上的蚀刻阻止膜，

其中，栅电极设置在蚀刻阻止膜上。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，栅电极结构还包括设置在蚀刻阻止膜与栅电极之间的逸出功调整膜。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，在栅电极结构的第三部分中的逸出功调整膜的厚度小于在栅电极结构的第一部分中的逸出功调整膜的厚度。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，栅电极结构还包括设置在蚀刻阻止膜与栅电极之间的逸出功调整膜，

其中，在栅电极结构的第三部分中的逸出功调整膜的厚度小于在栅电极结构的第一部分中的逸出功调整膜的厚度，

其中，在栅电极结构的第三部分中的逸出功调整膜的厚度等于在栅电极结构的第二部分中的逸出功调整膜的厚度。

8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，在栅电极结构的第一部分中的逸出功调整膜的厚度不同于在栅电极结构的第二部分中的逸出功调整膜的厚度。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括栅极绝缘膜，栅极绝缘膜在基底与栅电极结构之间横越第一有源区域、第二有源区域和场绝缘膜，

其中，栅电极结构还包括在栅极绝缘膜上并且接触栅极绝缘膜的逸出功调整膜，

其中，栅电极设置在逸出功调整膜上。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，在栅电极结构的第三部分中的逸出功调整膜的厚度小于在栅电极结构的第一部分中的逸出功调整膜的厚度，

其中，在栅电极结构的第三部分中的逸出功调整膜的厚度等于在栅电极结构的第二部分中的逸出功调整膜的厚度。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一有源区域与栅电极结构的第三部分之间的距离不同于第二有源区域与栅电极结构的第三部分之间的距离。