[发明专利]扇出型半导体封装件

权利要求书

1.一种扇出型半导体封装件，包括：

半导体芯片，具有有效表面和与有效表面相对的无效表面，有效表面上设置有连接焊盘；

包封件，密封半导体芯片的无效表面的至少一部分；

第一连接构件，设置在半导体芯片的有效表面上，并且包括设置在半导体芯片的有效表面上的绝缘层、设置在绝缘层上的重新分布层以及贯穿绝缘层并且将半导体芯片的连接焊盘直接连接到重新分布层的第一通路；

钝化层，设置在第一连接构件上，钝化层为扇出型半导体封装件的最外侧的绝缘树脂层；以及

凸块下金属层，包括设置在钝化层上的外连接焊盘以及贯穿钝化层并且将外连接焊盘直接连接到重新分布层的第二通路，

其中，在与半导体芯片的有效表面垂直的方向上，第一通路和第二通路设置在外连接焊盘以内，并且彼此不重叠，

其中，外连接焊盘从钝化层的下表面突出，

其中，第一通路的中心轴线、第二通路的中心轴线和外连接焊盘的中心轴线彼此偏离，

其中，满足(D1+D2)/2L[D-(D1+D2)/2]，其中，D1为第一通路的直径，D2为第二通路的直径，D为外连接焊盘的直径，L为第一通路的中心轴线与第二通路的中心轴线之间的距离。

2.如权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，第二通路的体积比第一通路的体积大。

3.如权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，满足D1D2(D/2+E-D1/2)，其中，D1为第一通路的直径，D2为第二通路的直径，D为外连接焊盘的直径，E为第一通路的中心轴线与外连接焊盘的中心轴线之间的距离。

4.如权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，第一通路的中心轴线和第二通路的中心轴线设置在外连接焊盘的直径上。

5.如权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，第一通路被设置为与外连接焊盘对应的多个第一通路。

6.如权利要求5所述的扇出型半导体封装件，其中，所述多个第一通路中的至少一个第一通路为用于信号的通路，所述多个第一通路中的其余第一通路为用于电力连接的通路和用于地连接的通路中的至少一种。

7.如权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，第二通路被设置为与外连接焊盘对应的多个第二通路。

8.如权利要求7所述的扇出型半导体封装件，其中，外连接焊盘设置有多个凹槽，所述多个凹槽形成在外连接焊盘的表面中，并且分别与所述多个第二通路相对应。

9.如权利要求1所述的扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件还包括具有通孔的第二连接构件，

其中，半导体芯片设置在第二连接构件的通孔中。

10.如权利要求9所述的扇出型半导体封装件，其中，第二连接构件包括第一绝缘层、嵌在第一绝缘层中同时接触第一连接构件的第一重新分布层以及与嵌在第一绝缘层中的第一重新分布层相对的第二重新分布层，第一重新分布层和第二重新分布层电连接到连接焊盘。

11.如权利要求10所述的扇出型半导体封装件，其中，第二连接构件还包括设置在第一绝缘层上以覆盖第二重新分布层的第二绝缘层和设置在第二绝缘层上的第三重新分布层，第三重新分布层电连接到连接焊盘。

12.如权利要求10所述的扇出型半导体封装件，其中，第一连接构件的重新分布层与第一重新分布层之间的距离大于第一连接构件的重新分布层与连接焊盘之间的距离。

13.如权利要求10所述的扇出型半导体封装件，其中，第二重新分布层设置在半导体芯片的有效表面与无效表面之间。