[发明专利]薄膜晶体管及制备方法

说明书

本发明涉及一种薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：在基板上形成有源层；在形成有有源层的基板上形成栅极绝缘层；对栅极绝缘层进行图形化，以形成垂直于基板的第一刻蚀槽及第二刻蚀槽；在栅极绝缘层上形成金属层，且金属层覆盖第一刻蚀槽及第二刻蚀槽；对金属层进行图形化，第一电极及第二电极形成存储电容器；在栅极绝缘层、栅极及存储电容器上形成层间绝缘层；在层间绝缘层上形成源极及漏极，源极及漏极分别与有源层连接。上述薄膜晶体管的制备方法，制备工艺简单，生产效率较高。而且，第一电极与第二电极在垂直于基板的方向形成，可以减少光被电极遮挡的可能性，增加薄膜晶体管的开口率，增加薄膜晶体管的存储电容器的容量。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管及制备方法。

背景技术

AMOLED，即主动矩阵有机发光二极管(Active-Matrix Organic Light EmittingDiode)，因为具备广色域、高对比度、轻薄、能耗低等特点，已经受到广泛的运用，被誉为下一代显示技术。

随着显示技术的发展，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，简称TFT-LCD已经成为最为常见的显示装置。在AMOLED液晶显示器中，每个子像素都配置有一个薄膜晶体管，使得每一个子像素可以独立的运作，且不易受到其他子像素的影响。

薄膜晶体管上一般都包括存储电容器。存储电容器包括平行设置的第一电极及第二电极。目前，在薄膜晶体管的制备过程中，存储电容器的第一电极在栅极的制作过程中同时制备，该第一电极与栅极位于同一层中。然后，在栅极及电极层上形成绝缘层，然后再在绝缘层上与第一电极相对的地方形成第二电极。但是这种制备方法较繁琐，步骤较多，生产效率较低。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种薄膜晶体管及制备方法，以降低成本，同时提高薄膜晶体管的开口率。

一种薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：

在基板上形成有源层；

在形成有所述有源层的所述基板上形成栅极绝缘层；

对所述栅极绝缘层进行图形化，以形成垂直于所述基板的第一刻蚀槽及第二刻蚀槽；

在所述栅极绝缘层上形成金属层，且所述金属层覆盖所述第一刻蚀槽及所述第二刻蚀槽；

对所述金属层进行图形化，以形成栅极、第一电极及第二电极，所述第一电极位于所述第一刻蚀槽内，所述第二电极位于所述第二刻蚀槽内，所述第一电极及所述第二电极形成存储电容器；

在所述栅极绝缘层、所述栅极及所述存储电容器上形成层间绝缘层；

在所述层间绝缘层上形成源极及漏极，所述源极及所述漏极分别与所述有源层连接；

其中，在对所述栅极绝缘层进行图形化的步骤中，还包括在所述栅极绝缘层上与所述栅极对应的位置形成第三刻蚀槽，所述第三刻蚀槽与所述基板垂直，以使栅极在第三刻蚀槽内。

在其中一个实施例中，所述第一刻蚀槽、所述第二刻蚀槽及所述第三刻蚀槽的深度相同。

在其中一个实施例中，所述栅极绝缘层的厚度为1500nm～2000nm。

在其中一个实施例中，在形成有所述有源层的基板上形成栅极绝缘层，包括如下步骤：

在形成有所述有源层的基板上形成氧化硅层；

在所述氧化硅层上形成氮化硅层。

在其中一个实施例中，所述氧化硅层的厚度小于所述氮化硅层的厚度。

在其中一个实施例中，所述第一刻蚀槽及所述第二刻蚀槽的深度等于氮化硅层的厚度。