[发明专利]一种不易变形的碳化硅基芯片背面工艺

权利要求书

1.一种不易变形的碳化硅基芯片背面工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在完成正面工艺的碳化硅基芯片正面旋涂或喷淋粘胶剂；

S2、将碳化硅基芯片与高硼硅玻璃衬底或者将碳化硅基芯片与硅酸硼玻璃衬底进行键合；

S3、对键合好的碳化硅基芯片完成后续背面工艺，高硼硅玻璃衬底或硅酸硼玻璃衬底，不仅对碳化硅基芯片提供支撑和保护，更能在高温键合、光刻和蚀刻工艺后不增加翘曲度，从而可以精确控制碳化硅基芯片减薄后的最终厚度和均匀度，以及双面或红外线背面对准光刻和单面光刻的精准度；其中，所述背面工艺包括背面减薄、光刻、背孔刻蚀、电镀、和切割道光刻/金属刻蚀；

S4、将完成后续背面工艺的碳化硅基芯片与高硼硅玻璃衬底或者碳化硅基芯片与硅酸硼玻璃衬底进行分离。

2.根据权利要求1所述的不易变形的碳化硅基芯片背面工艺，其特征在于，所述步骤S1之前还包括：将完成正面工艺的碳化硅基芯片，以及高硼硅玻璃衬底或硅酸硼玻璃衬底放在盐酸溶液中漂洗，再用去离子水清洗，用氮气吹干，并放在烘箱中烘干水分。

3.根据权利要求1所述的不易变形的碳化硅基芯片背面工艺，其特征在于，所述粘胶剂为热敏感型粘合材料、光敏感型粘材料或溶剂溶解型粘合剂。

4.根据权利要求1或3所述的不易变形的碳化硅基芯片背面工艺，其特征在于，所述粘胶剂的厚度大于碳化硅基芯片正面电路高度。

5.根据权利要求1所述的不易变形的碳化硅基芯片背面工艺，其特征在于，所述步骤S4中采用化学溶剂解离法、低温加热或紫外照射解离的方法将碳化硅基芯片与高硼硅玻璃衬底或硅酸硼玻璃衬底分离。

6.根据权利要求1所述的不易变形的碳化硅基芯片背面工艺，其特征在于，所述高硼硅玻璃衬底或硅酸硼玻璃衬底的尺寸大于或等于碳化硅基芯片的尺寸。

7.根据权利要求1所述的不易变形的碳化硅基芯片背面工艺，其特征在于，所述高硼硅玻璃衬底或硅酸硼玻璃衬底的厚度为500-2000微米。