[发明专利]RAMO4

权利要求书

1.一种RAMO₄基板，其是包含通式RAMO₄所表示的单晶体的RAMO₄基板，通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素，

所述RAMO₄基板在一面具有外延生长面，外延生长面由长条状的多个劈开面形成，外延生长面的凹凸形状的高度为500nm以下，

在另一面具有暗光面，

所述暗光面具有500nm以上的凹凸，按照连续地凹凸的高度为500nm以下区域的面积为1mm²以下的方式形成有凹凸，

所述暗光面具有比所述外延生长面更大的表面粗糙度。

2.如权利要求1所述的RAMO₄基板，其中，

所述暗光面具有500nm以上且500μm以下的凹凸。

3.如权利要求1所述的RAMO₄基板，其中，

所述暗光面的100μm²的区域的表面粗糙度Ra为0.5μm以上且8μm以下。

4.如权利要求3所述的RAMO₄基板，其中，

所述外延生长面的100μm²的区域的表面粗糙度Ra为0.08nm以上且0.5nm以下。

5.如权利要求1所述的RAMO₄基板，其中，

在所述暗光面上具有由一层或多层构成的保护层。

6.如权利要求5所述的RAMO₄基板，其中，

所述保护层由多层构成，在所述保护层之中，越接近所述暗光面的层的厚度越厚。

7.如权利要求1所述的RAMO₄基板，其中，

所述通式中的R为Sc，A为Al，M为Mg。

8.一种RAMO₄基板的制造方法，其包括：

准备将通式RAMO₄所表示的单晶体以(0001)面劈开而得到的RAMO₄板状体的工序，通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素；

对所述RAMO₄板状体的一面进行研磨而形成凹凸形状的高度为500nm以下的外延生长面的工序；和

对所述RAMO₄板状体的另一面进行加工，形成表面粗糙度比所述外延生长面更大的暗光面的工序，

形成所述外延生长面的工序包括：在所述RAMO₄板状体上形成500nm以上的凹凸的粗凹凸形成工序；和对所述500nm以上的凹凸进行研磨而除去500nm以上的凹凸的微小凹凸形成工序，

所述微小凹凸形成工序中的加压力按照10000Pa以上且20000Pa以下、5000Pa以上且小于10000Pa、20Pa以上且3000Pa以下的顺序随着加工进展而减弱，从而形成多个劈开面，

使用附着有#300以上且#2000以下的金刚石磨粒的磨石，在以下条件下形成所述暗光面，

磨石转速500min^-1以上且50000min^-1以下，

RAMO₄板状体转速10min^-1以上且300min^-1以下，

加工速度0.01μm/秒以上且1μm/秒以下，

加工除去量1μm以上且300μm以下。

9.如权利要求8所述的RAMO₄基板的制造方法，其中，

所述通式中的R为Sc，A为Al，M为Mg。