[发明专利]有机发光装置有效
申请号: | 201710068709.9 | 申请日: | 2017-02-08 |
公开(公告)号: | CN107359257B | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 赵桓熙;金明淑;金成昱;金世勋;黃珍秀 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 周丹;王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 装置 | ||
1.一种有机发光装置,包括:
第一电极;
面向所述第一电极的第二电极;以及
在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层,所述有机层包括发光层,
其中所述有机层包括在所述第一电极和所述发光层之间的空穴传输区,
其中所述发光层包括第一化合物和第二化合物作为主体材料以及第四化合物作为掺杂剂材料,并且
所述空穴传输区包括第三化合物,
所述第一化合物至所述第四化合物满足公式1至8:
公式1
E1,LUMO≥E2,LUMO+0.15eV
公式2
E1,HOMO≥E2,HOMO+0.15 eV
公式3
E1,T1≥E4,T1
公式4
E2,T1≥E4,T1
公式5
E3,T1≥E4,T1
公式6
E3,LUMO≥E2,LUMO+0.1 eV
公式7
E3,HOMO≤-5.6 eV
公式8
E能隙1≥E能隙3,
其中,在公式1至8中,
E1,LUMO表示所述第一化合物的最低未占有分子轨道能级,
E2,LUMO表示所述第二化合物的最低未占有分子轨道能级,
E3,LUMO表示所述第三化合物的最低未占有分子轨道能级,
E1,HOMO表示所述第一化合物的最高占有分子轨道能级,
E2,HOMO表示所述第二化合物的最高占有分子轨道能级,
E3,HOMO表示所述第三化合物的最高占有分子轨道能级,
E1,T1表示所述第一化合物的最低激发三线态能级,
E2,T1表示所述第二化合物的最低激发三线态能级,
E3,T1表示所述第三化合物的最低激发三线态能级,
E4,T1表示所述第四化合物的最低激发三线态能级,
E能隙1表示所述第一化合物的最低未占有分子轨道能级和所述第一化合物的最高占有分子轨道能级之间的能隙,并且
E能隙3表示所述第三化合物的最低未占有分子轨道能级和所述第三化合物的最高占有分子轨道能级之间的能隙,并且
所述第一化合物由式1-1、2-1、2-2和3-1中的一个表示,并且
所述第二化合物由式1-2、2-3、2-4和3-2中的一个表示,
式1-1
式1-2
式2-1
式2-2
式2-3
式2-4
式3-1
式3-2
其中,在式1-1、1-2、2-1至2-4、3-1和3-2中,
A11至A14和A21至A23各自独立地选自C5-C20碳环基和C1-C20杂环基,
X11选自O、S、N[(L12)a12-R12]、C[(L12)a12-R12](R17)、Si[(L12)a12-R12](R17)、P[(L12)a12-R12]、B[(L12)a12-R12]和P(=O)[(L12)a12-R12],
X12选自O、S、N[(L15)a15-R19]、C[(L15)a15-R19](R20)、Si[(L15)a15-R19](R20)、P[(L15)a15-R19]、B[(L15)a15-R19]和P(=O)[(L15)a15-R19],
X21选自N[(L21)a21-R21]、C[(L21)a21-R21](R23)、O和S,
X22选自N[(L22)a22-R22]、C[(L22)a22-R22](R24)、O和S,
X71选自N[(L71)a71-R71]、C[(L71)a71-R71](R73)、O和S,
X72选自N[(L72)a72-R72]、C[(L72)a72-R72](R74)、O和S,
R12和R17任选地结合以形成饱和或不饱和的环,
R19和R20任选地结合以形成饱和或不饱和的环,
L11至L15、L21、L22、L31至L33、L61至L63、L71和L72各自独立地选自取代或未取代的C3-C10亚环烷基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3-C10亚环烯基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代或未取代的二价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价的非芳族稠合杂多环基团,
a11至a15、a21、a22、a31至a33、a61至a63、a71和a72各自独立地选自0、1、2、3、4和5,
R11至R27、R31至R36、R61至R66和R71至R77各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(=O)(Q1)、-S(=O)2(Q1)和-P(=O)(Q1)(Q2),
b13至b16、b25至b27和b75至b77各自独立地选自1、2、3和4,
n31至n33和n61至n63各自独立地选自0、1、2、3和4,
*和*’表示与相邻原子的结合位点,并且
所述第三化合物由式4表示:
式4
其中,在式4中,选自L41至L43中的至少一个为由式5表示的基团,
式5
,
其中,在式4和5中,
A51选自C5-C20碳环基和C1-C20杂环基,
X51选自N和CR51,
L41至L43各自独立地选自取代或未取代的C3-C10亚环烷基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3-C10亚环烯基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代或未取代的二价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价的非芳族稠合杂多环基团,
a41至a43各自独立地选自0、1、2、3、4和5,
其中当L41为由式5表示的基团时,a41选自1、2、3、4和5;当L42为由式5表示的基团时,a42选自1、2、3、4和5;并且当L43为由式5表示的基团时,a43选自1、2、3、4和5,
R41至R43、R51和R52各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(=O)(Q1)、-S(=O)2(Q1)和-P(=O)(Q1)(Q2),
选自R41至R43中的至少一个选自取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团,
b52选自1、2、3和4,
*和*’表示与相邻原子的结合位点,并且
选自所述取代的C3-C10亚环烷基、取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的C3-C10亚环烯基、取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的C6-C60亚芳基、取代的C1-C60亚杂芳基、取代的二价的非芳族稠合多环基团、取代的二价的非芳族稠合杂多环基团、取代的C1-C60烷基、取代的C2-C60烯基、取代的C2-C60炔基、取代的C1-C60烷氧基、取代的C3-C10环烷基、取代的C1-C10杂环烷基、取代的C3-C10环烯基、取代的C1-C10杂环烯基、取代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫基、取代的C1-C60杂芳基、取代的单价的非芳族稠合多环基团和取代的单价的非芳族稠合杂多环基团的取代基中的至少一个选自由以下组成的组中:
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基;
各自被选自以下的至少一个取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基:氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价的非芳族稠合多环基团、单价的非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(=O)(Q11)、-S(=O)2(Q11)和-P(=O)(Q11)(Q12);
C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价的非芳族稠合多环基团、单价的非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基;
各自被选自以下的至少一个取代的C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价的非芳族稠合多环基团、单价的非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基:氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价的非芳族稠合多环基团、单价的非芳族稠合杂多环基团、联苯基、三联苯基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(=O)(Q21)、-S(=O)2(Q21)和-P(=O)(Q21)(Q22);以及
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(=O)(Q31)、-S(=O)2(Q31)和-P(=O)(Q31)(Q32),
其中Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、单价的非芳族稠合多环基团、单价的非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择