[发明专利]一种LED外延片结构在审
| 申请号： | 201710069331.4 | 申请日： | 2017-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN106848012A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 何苗;丛海云;郑树文;黄波 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 | 代理人： | 胡辉 |
| 地址： | 510631 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 | ||
1.一种LED外延片结构，其特征在于：包括从下至上依次设置的第二衬底、第四本征半导体层、第二N型GaN层、第二P型GaN层、第五本征半导体层、第二量子阱层、第六本征半导体层以及第三N型GaN层。
2.根据权利要求1所述一种LED外延片结构，其特征在于：所述第二衬底为蓝宝石衬底。
3.根据权利要求1所述一种LED外延片结构，其特征在于：所述第二衬底的上表面与第四本征半导体层的下表面之间设置有粗糙层。
4.根据权利要求1-3任一项所述一种LED外延片结构，其特征在于：所述第四本征半导体层的生长温度为1050℃，所述第四本征半导体层的生长时间为15分钟。
5.根据权利要求1-3任一项所述一种LED外延片结构，其特征在于：所述第二N型GaN层的厚度为2.3微米~2.6微米。
6.根据权利要求4所述一种LED外延片结构，其特征在于：所述第二N型GaN层的生长温度为1050℃，所述第二N型GaN层的生长时间为60分钟。
7.根据权利要求1-3任一项所述一种LED外延片结构，其特征在于：所述第二P型GaN层的生长温度为950℃，所述第二P型GaN层的生长时间为15分钟。
8.根据权利要求1-3任一项所述一种LED外延片结构，其特征在于：所述第五本征半导体层的生长温度为1000℃，所述第五本征半导体层的生长时间为15分钟。
9.根据权利要求1-3任一项所述一种LED外延片结构，其特征在于：所述第六本征半导体层的生长温度为900℃，所述第六本征半导体层的生长时间为15分钟。
10.根据权利要求1-3任一项所述一种LED外延片结构，其特征在于：所述第三N型GaN层的生长温度为1000℃，所述第三N型GaN层的生长时间为20分钟。
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