[发明专利]显示装置及显示装置的制造方法

说明书

本发明提供一种显示装置及显示装置的制造方法，其目的在于减小薄膜晶体管的电流偏差，提高驱动能力。设于周边区域(PR)的多个薄膜晶体管为交错型的第一薄膜晶体管(TFT1)，其具有由低温多晶硅构成的第一沟道层(CH1)，且在第一源电极(SE1)及第一漏电极(DE1)各自与第一栅电极(GE1)之间不存在第一沟道层。设于显示区域(DR)的多个薄膜晶体管包括交错型的第二薄膜晶体管(TFT2)，其具有由氧化物半导体构成的第二沟道层(CH2)，且在第二源电极(SE2)及第二漏电极(DE2)各自与第二栅电极(GE2)之间不存在第二沟道层。第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管相比位于更下层的位置。

技术领域

本发明涉及一种显示装置及显示装置的制造方法。

背景技术

显示装置通过与每个像素对应的亮度和色度的发光来显示图像。例如，向设在配置成矩阵状的多个像素电极与这些像素电极所共用的共用电极之间的有机发光层流通电流使其发光。另外，针对各个像素布局有组合了多个薄膜晶体管、电容器的像素电路。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2012-160679号公报

因为由低温多晶硅构成的薄膜晶体管的驱动能力高，所以被大量使用。硅通过受激准分子激光退火而被多结晶化，但激光的照射偏差很大，从而无法减小各像素的电流偏差。因此，需要设置修正电路、或者多次反复照射激光，从而存在装置成本、激光的材料成本等的课题。

近年来，作为薄膜晶体管工艺，开发出使用了氧化物半导体的制造工艺(专利文献1)。然而，使用了氧化物半导体的现有薄膜晶体管无法满足窄框、低耗电量等的制约条件。于是，期待开发出用于混载基于氧化物半导体的薄膜晶体管和基于低温多晶硅的薄膜晶体管的工艺。

发明内容

本发明的目的在于，减小薄膜晶体管的电流偏差，提高驱动能力。

本发明的显示装置的特征在于，具有：多个像素电极，其设于用于显示图像的显示区域；共用电极，其配置在所述多个像素电极的上方；发光元件层，其夹设在所述多个像素电极与所述共用电极之间；以及由多个层构成的电路层，所述多个层从所述显示区域到达位于所述显示区域的外侧的周边区域，所述电路层在所述显示区域及所述周边区域分别具有多个薄膜晶体管，设于所述周边区域的所述多个薄膜晶体管为交错型的第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管具有由低温多晶硅构成的第一沟道层，且在第一源电极与第一栅电极之间及第一漏电极与第一栅电极之间不存在所述第一沟道层，设于所述显示区域的所述多个薄膜晶体管包括交错型的第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管具有由氧化物半导体构成的第二沟道层，且在第二源电极与第二栅电极之间及第二漏电极与第二栅电极之间不存在所述第二沟道层，所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管相比位于更上层的位置。

根据本发明，第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管为交错型，因此寄生电容变小，驱动能力很高。另外，由于第二薄膜晶体管的第二沟道层由氧化物半导体构成，所以能够减小电流偏差。而且，第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管相比位于更下层的位置。因此，由于第二薄膜晶体管在第一薄膜晶体管之后形成，所以不会受到在形成由低温多晶硅构成的第一沟道层时的热量。

本发明的显示装置的制造方法中，显示装置具有用于显示图像的显示区域及位于所述显示区域的外侧的周边区域，该显示装置的制造方法的的特征在于，包括：在所述周边区域形成交错型的第一薄膜晶体管的工序，所述第一薄膜晶体管具有由低温多晶硅构成的第一沟道层，且在第一源电极与第一栅电极之间及第一漏电极与第一栅电极之间不存在所述第一沟道层；在形成所述第一薄膜晶体管之后，在所述显示区域形成交错型的第二薄膜晶体管的工序，该第二薄膜晶体管具有由氧化物半导体构成的第二沟道层，且在第二源电极与第二栅电极之间及第二漏电极与第二栅电极之间不存在所述第二沟道层；在形成所述第二薄膜晶体管之后，在所述显示区域形成多个像素电极的工序；在所述多个像素电极的上方形成发光元件层的工序；以及在所述发光元件层的上方形成共用电极。