[发明专利]III族氮化物结晶制造方法以及RAMO4基板

说明书

技术领域

本发明涉及III族氮化物结晶制造方法以及RAMO₄基板。

背景技术

作为通式RAMO₄所表示的基板(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的一例，已知ScAlMgO₄基板。ScAlMgO₄基板被用作GaN等氮化物半导体的生长基板(例如，参照专利文献1。)。图11为示出专利文献1中记载的以往的ScAlMgO₄基板制造方法的工序的图。在S201工序的单晶形成中，形成ScAlMgO₄的块体材料。在S202工序的生长基板制作中通过将块体材料劈开从而形成基板。在S203的GaN形成中，在上述基板上形成GaN层。在S204工序的生长基板除去中，作为生长基板的ScAlMgO₄基板通过使用缓冲氢氟酸等进行蚀刻从而被除去，或者将ScAlMgO₄基板的一部分劈开后，进一步通过蚀刻、研磨除去生长基板。通过进行这些工序，最终形成GaN基板。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-178448号公报

发明内容

发明要解决的问题

如上所述，专利文献1中，在制造GaN基板时，在S204工序中通过蚀刻、研磨除去RAMO₄基板。另外，在通过将RAMO₄基板的一部分劈开从而除去的情况下，使除去的RAMO₄基板暂时溶解后再次形成单晶体，由此进行再利用。然而，近年来，考虑到GaN基板制作的成本和制造效率等，要求将除去的RAMO₄基板容易地再利用。也就是说，本发明的目的在于，提供在制造III族氮化物时，提高作为生长基板的RAMO₄基板的使用效率的方法。

用于解决问题的手段

为了达成上述目的，本发明提供一种III族氮化物结晶制造方法，其具有：准备RAMO₄基板的工序，所述RAMO₄基板包含通式RAMO₄所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)，且在侧部具有切口；在所述RAMO₄基板上使III族氮化物结晶生长的工序；和以上述切口为起点使所述RAMO₄基板劈开的工序。

另外，本发明提供一种RAMO₄基板，在包含通式RAMO₄所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO₄基板中，在侧部具有切口。

发明效果

根据本发明，能够提供将RAMO₄基板容易地再利用而制造III族氮化物的方法和RAMO₄基板。

附图说明

图1为本发明的实施方式1中的III族氮化物基板的制造工序的图。

图2的图2A为表示本发明的实施方式1中的ScAlMgO₄铸锭的外形加工后的形状的立体图，图2B、图2C为表示本发明的实施方式1中的ScAlMgO₄铸锭的切口的形状的侧视图，图2D为本发明的实施方式1中的ScAlMgO₄铸锭的俯视图。

图3的图3A、图3B示出本发明的实施方式1中的劈开中使用的刃的形状。

图4为以往的仅通过劈开形成的外延生长面的平面度测定结果的图。