[发明专利]一种基于晶体氧化剂的LBO晶体抛光方法

权利要求书

1.一种基于晶体氧化剂的LBO晶体抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)采用粒径小于W10的刚玉粉做磨料在铜合金盘上对LBO晶体进行研磨；

2)采用粒径不大于1μm的氧化铈抛光液在沥青盘上对LBO晶体进行粗抛光，所述氧化铈抛光液的浓度在所述粗抛光过程中逐步降低；

3)采用粒径为50nm-100nm的碱性胶体抛光液在聚氨酯抛光垫对LBO晶体进行精抛光，所述碱性胶体抛光液的成分包括二氧化硅、三氧化铝、三氧化钼、氧化铈、氧化镁中的一种或多种；

4)将LBO晶体表面浸入有机溶剂，用超声波清洗机进行超声刻蚀处理；

5)采用无水乙醇和乙醚混合液在沥青盘上对LBO晶体进行再次抛光。

2.根据权利要求1所述的基于晶体氧化剂的LBO晶体抛光方法，其特征在于，所述步骤1)中，研磨液采用去离子水。

3.根据权利要求1所述的基于晶体氧化剂的LBO晶体抛光方法，其特征在于，所述步骤1)中，LBO晶体通过石蜡和保护片固定在磨具上。

4.根据权利要求1所述的基于晶体氧化剂的LBO晶体抛光方法，其特征在于，所述步骤2)中，氧化铈抛光液为经超声波超声振荡后的抛光液。

5.根据权利要求1所述的基于晶体氧化剂的LBO晶体抛光方法，其特征在于，所述步骤3)中，碱性胶体抛光液的PH值通过PH值调节剂调整，所述PH值调节剂包括氢氧化钠、氨水、磷酸二氢钠、四甲基氢氧化铵、硝酸铁、氢氧化钾中的一种或多种。

6.根据权利要求5所述的基于晶体氧化剂的LBO晶体抛光方法，其特征在于，所述步骤3)中，碱性胶体抛光液的PH值为13。

7.根据权利要求1所述的基于晶体氧化剂的LBO晶体抛光方法，其特征在于，所述步骤4)中，加热有机溶剂且温度不超过50℃，超声刻蚀处理的时间不超过45秒。

8.根据权利要求1所述的基于晶体氧化剂的LBO晶体抛光方法，其特征在于，在执行步骤5)后，判断LBO晶体表面是否存在划痕，若是，则重复执行步骤2)-5)，且在执行步骤2)时减小氧化铈抛光液的粒径，若否，则结束。