[发明专利]用于提供用于极紫外线光刻工艺的非对称光瞳配置的方法

说明书

技术领域

本发明的实施例总体涉及半导体领域，更具体地涉及用于对半导体器件进行极紫外光刻(EUVL)工艺的方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)产业经历了指数型增长。IC材料和设计的技术进步产生了数代IC，其中，每一代都具有比先前时代更小且更复杂的电路。在IC发展过程中，随着几何尺寸(即，使用制造工艺可以制造的最小的元件(或线))减小，功能强度(即每芯片面积上互连器件的数量)通常增大。该按比例缩小工艺通常因提高生产效率和降低相关成本而提供益处。这样的成比例缩小也增加了处理和制造IC的复杂程度。为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似的发展。例如，对实施更高分辨率的光刻工艺的需求增大。一种光刻技术是极紫外光刻(EUVL)。其他技术包括X射线光刻、离子束投影光刻、电子束投影光刻和多电子束无掩模光刻。

EUVL使用扫描器，该扫描器使用极紫外线(EUV)区中的光。EUV扫描仪在形成在反射掩模上的吸收层(“EUV”掩模吸收体)上提供期望的图案。对于EUV辐射，所有材料都具有高吸收率。因此，使用反射光学而不是折射光学；还使用反射掩模。期望实施具有更高图像对比度、同时准确地反映包括将图案放置在目标衬底上的设计要求的EUV工艺。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种用于对半导体器件进行极紫外光刻(EUVL)工艺的方法，包括：提供集成电路的部件的图案；选择极紫外波长辐射束的光瞳的配置，其中，所述配置为非对称的单极配置；确定所述部件的图案的模拟成像与所述部件的图案的设计成像之间的至少一种差别；修改参数以解决所述至少一种差别，其中，所述参数是设计部件、掩模部件和光刻工艺参数的至少一个；以及使用选择的所述配置和修改的所述参数使衬底暴露至所述部件的图案。根据本发明的又一个方面，提供了一种方法，包括：模拟用于集成电路的部件的图案的极紫外(EUV)光刻工艺，其中，所述模拟包括限定非对称的单极照射模式；确定对所述部件的图案的所述模拟与所述部件的图案的设计之间的至少一种差别，其中，所述至少一种差别为图案移位、最佳焦点移位以及散焦图案移位中的至少一种；以及修改所述EUV光刻工艺的参数或所述部件的图案的参数以减小所述至少一种差别。

根据本发明的另一个方面，提供了一种方法，包括：选择极紫外波长辐射束的照射模式，其中，所述照射模式是非对称配置；确定使用所述非对称配置曝光的图案与设计数据限定的相关图案之间的至少一种差别，其中，所述至少一种差别为图案移位、最佳焦点移位、以及散焦图案移位中的一种；确定补偿参数以减轻所述至少一种差别，其中，所述确定包括应用至少一个模型和规则以选择所述补偿；以及使用选择的所述照射模式和所述补偿参数将衬底暴露至所述部件的图案。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚地讨论，各个部件的尺寸可以任意地增加或减少。

图1是根据本发明的多个实施例的方面的光刻工艺的流程图。

图2是根据本发明的方面的示例性集成电路图案的示意图的实施例。

图3是根据本发明的方面的辐射束在入射掩模时的示意性截面图的实施例。

图4A、4B、4C、4D是根据在一个或多个实施例中的本发明的各方面的提供的光瞳的照射模式的各种示例性实施例的示意性俯视图。

图5是根据本发明的各方面的对应的照射模式的空间成像的图形表示的实施例。

图6是示出了根据本发明一个或多个方面的用于提供补偿参数的方法的实施例的流程图。

图7、8A、8B、9A和9B是关于图1的方法的实施例的差别问题和/或补偿参数的图形说明。

图10A是根据本发明的各方面的不同间距下的散焦图案移位的实施例的图形说明。图10B是根据一些实施例的在选定间距下散焦图案移动的实施例的图形说明。

图10C是示出了根据本发明的一些方面的对于给定的光瞳配置，基于图案密度的反射的表格的实施例。

图10D和10E示出了根据本发明的各方面用以改变光的散射的补偿参数应用的实施例。

图11是示出了根据本发明各方面对衬底实施光刻曝光工艺的实施例的流程图。

图12是示出了用于实施本发明中包括图11的方法的各方面的光刻系统的实施例的框图。

图13是示出了用于实施包括图1和图6的方法的本发明的那些方面的计算机系统的实施例的框图。