[发明专利]一种用于生产硅烷的隔壁塔有效
申请号: | 201710072132.9 | 申请日: | 2017-02-08 |
公开(公告)号: | CN106587072B | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 吴锋;田新;王德芸;崔会为 | 申请(专利权)人: | 江苏鑫华半导体材料科技有限公司 |
主分类号: | C01B33/04 | 分类号: | C01B33/04 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 肖明芳 |
地址: | 221004 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 生产 硅烷 隔壁 | ||
1.一种生产硅烷的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将液体催化剂通过第一进料口(4)、将三氯氢硅通过第二进料(5)引入隔壁塔中;
(2)上塔区(1)的回流分别进入中塔板区(201)和中填料区(202);
(3)上塔区(1)采出硅烷,下塔区的第三出料口(9)采出含2~10%质量百分比氯硅烷的液体催化剂,侧线的第二出料口(8)采出四氯化硅、三氯氢硅的混合物;
步骤(1)中,所述隔壁塔的塔内参数为:压力10~30个大气压,上塔区温度-60~-25℃,下塔区温度120~300℃,回流比0.5~6:1;
步骤(2)中,所述上塔区回流的液相分配比按照下式确定:
Z=AX+BX2+CY
其中,Z为上塔区回流的液相分配比,X为中塔板区的横截面积与截面总面积之比,Y为隔壁塔回流比,A为1~1.2,B为2~2.5,C为0.4~0.5;
所述隔壁塔的塔身自上而下依次为上塔区(1)、中塔区(2)和下塔区(3),塔身一侧为进料侧,塔身另一侧为出料侧;所述中塔区(2)包含靠近进料侧的中塔板区(201)和靠近侧线出料侧的中填料区(202),所述中塔板区和中填料区以隔壁(203)进行分隔;所述上塔区(1)、中塔区(2)和下塔区(3)的长度比例为1:5~20:1~2;所述中塔板区(201)的总塔板数为50~80,所述中填料区(202)采用规整填料,填料的高度和中塔板区相同;
所述进料侧在所述中塔板区(201)上部设有第一进料口(4),在所述中塔板区(201)的45~70%高处设有第二进料口(5)、所述下塔区中部设有第三进料口(6)、所述下塔区底部设有第四出料口(11);
所述出料侧在所述隔壁塔的上塔区(1)顶部设有第一出料口(7),所述上塔区上部设有第四进料口(10),在所述中填料区的20~35%高处设有第二出料口(8),在所述隔壁塔的下塔区(3)设有第三出料口(9)。
2.根据权利要求1所述生产硅烷的方法,其特征在于,所述上塔区(1)和下塔区(3)可为空塔或加装1~15块塔板。
3.根据权利要求1所述生产硅烷的方法,其特征在于,所述中塔板区(201)的横截面积为所述隔壁塔的截面55~70%。
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