[发明专利]低温多晶硅阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种低温多晶硅阵列基板结构，包括：

基板；

有源层，在所述基板之上；

第一栅极绝缘层，在所述有源层之上；

第一栅极层，在所述第一栅极绝缘层之上，所述第一栅极层在有源层的上方；

第二栅极绝缘层，覆盖所述第一栅极层；

第二栅极层，在所述第二栅极绝缘层之上，所述第二栅极层在所述第一栅极层的上方；

其中，所述第二栅极层的两端与所述第一栅极层的两端在所述基板的正投影重叠，所述第一栅极绝缘层的厚度为10nm至40nm，使得沟道热电子注入时所述第一栅极层(104)中可以形成电荷积累，改变所述第二栅极层上需施加的电压大小。

2.如权利要求1所述的低温多晶硅阵列基板结构，还包括设置在所述第一栅极 绝缘层之上并且被所述第二栅极 绝缘层覆盖的第一电容电极层和设置在所述第二栅极 绝缘层上的第二电容电极层，所述第一电容电极层在所述基板之上远离有源层的一侧，所述第二电容电极层在所述第一电容电极层上方。

3.如权利要求1或2所述的低温多晶硅阵列基板结构，其中所述第一栅极层和所述第二栅极层为单层、两层或两层以上结构。

4.如权利要求3所述的低温多晶硅阵列基板结构，其中所述第一栅极层和所述第二栅极层的厚度为100nm至500nm。

5.一种低温多晶硅阵列基板结构的制造方法，包括：

在基板上形成有源层；

在所述基板上形成覆盖所述有源层的第一栅极绝缘层；

在所述第一栅极绝缘层上形成第一栅极层和第一电容电极层，所述第一栅极层形成在有源层的上方，所述第一电容电极层形成在所述基板之上远离所述有源层的一侧；

形成覆盖所述第一栅极层和所述第一电容电极层的第二栅极绝缘层；

在第二栅极绝缘层上形成第二栅极层和第二电容电极层，其中所述第二栅极层形成在所述第一栅极层上方，所述第二电容电极层在所述第一电容电极层上方；

其中，所述第二栅极层的两端与所述第一栅极层的两端在所述基板的正投影重叠，所述第一栅极绝缘层的厚度为10nm至40nm，使得沟道热电子注入时所述第一栅极层中可以形成电荷积累，改变所述第二栅极层上需施加的电压大小。

6.如权利要求5所述的低温多晶硅阵列基板结构的制造方法，其中所述在第一栅极绝缘层上形成第一栅极层和第一电容电极层包括：在所述第一栅极绝缘层上形成金属层，图案化所述金属层，同时形成所述第一栅极层和所述第一电容电极层。

7.如权利要求5所述的低温多晶硅阵列基板结构的制造方法，其中所述在第二栅极绝缘层上形成第二栅极层和第二电容电极层包括：在所述第二栅极绝缘层上形成金属层，图案化所述金属层，同时形成所述第二栅极层和所述第二电容电极层。

8.如权利要求5所述的低温多晶硅阵列基板结构的制造方法，其中所述第一栅极层和第二栅极层为单层、两层或两层以上结构，所述第一栅极层和第二栅极层的厚度为100nm至500nm。