[发明专利]陶瓷结构体、其制法及半导体制造装置用部件有效
| 申请号： | 201710073140.5 | 申请日： | 2017-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN107135560B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 阿闭恭平;西村升;胜田祐司 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H05B3/26 | 分类号： | H05B3/26 |
| 代理公司： | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人： | 王轶;郑雪娜 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷 结构 制法 半导体 制造 装置 部件 | ||
1.一种陶瓷结构体，其是在包含50体积％以上的AlN作为主成分的AlN陶瓷基体的表面或内部包含加热电极的陶瓷结构体，其中，
所述加热电极包含WC作为主成分，还含有金属填料，所述金属填料与AlN相比，电阻率低且热膨胀系数高，
所述AlN陶瓷基体与所述加热电极在40～1000℃下的热膨胀系数的差值的绝对值为0.35ppm/℃以下。
2.根据权利要求1所述的陶瓷结构体，其中，
所述金属填料为Ru。
3.根据权利要求1所述的陶瓷结构体，其中，
所述金属填料为Ru合金。
4.根据权利要求3所述的陶瓷结构体，其中，
所述Ru合金为RuAl。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的陶瓷结构体，其中，
所述加热电极在室温下的电阻率为3.0×10-5Ωcm以下。
6.一种半导体制造装置用部件，其具有权利要求1～5中的任一项所述的陶瓷结构体。
7.一种陶瓷结构体的制法，其中，
在第一基体的一面配置加热电极，在其上层叠第二基体，制成层叠体，对该层叠体进行热压煅烧，由此，得到陶瓷结构体，所述第一基体、所述第二基体是包含50体积％以上的AlN作为主成分的氮化铝的烧结体、预烧体或成型体，所述加热电极包含WC作为主成分，还含有金属填料，所述金属填料与AlN相比，电阻率低且热膨胀系数高，
氮化铝陶瓷基体与所述加热电极在40～1000℃下的热膨胀系数的差值的绝对值为0.35ppm/℃以下。
8.根据权利要求7所述的陶瓷结构体的制法，其中，
所述金属填料为Ru或Ru合金，
设定所述金属填料的含量，使得所述氮化铝陶瓷基体与所述加热电极在40～1000℃下的热膨胀系数的差值的绝对值为0.35ppm/℃以下。
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