[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201710073159.X | 申请日: | 2017-02-10 |
公开(公告)号: | CN107086236B | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 崔允瑄;崔原硕;金喆秀;李相祚 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
基板,包括第一区域、第二区域以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的第一弯曲区域,其中,所述第一弯曲区域围绕在第一方向上延伸的第一弯曲轴线弯曲;
第一无机绝缘层,布置在所述基板之上并且至少在所述第一弯曲区域中具有第一开口或第一凹槽;
有机材料层,填充所述第一开口或所述第一凹槽的至少一部分;以及
第一导电层,跨所述第一弯曲区域从所述第一区域延伸到所述第二区域并且位于所述有机材料层之上,
其中,所述有机材料层至少部分地设置在所述第一无机绝缘层的上表面和所述第一导电层之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一开口或所述第一凹槽与所述第一弯曲区域重叠。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第一开口或所述第一凹槽具有大于所述第一弯曲区域的面积。
4.根据权利要求1所述的显示装置,还包括保护膜,所述保护膜位于所述基板的表面上,其中,所述表面与所述第一无机绝缘层相对,并且其中,所述保护膜至少在所述第一弯曲区域中具有保护膜开口。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述保护膜开口具有大于所述第一弯曲区域的面积。
6.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述保护膜开口具有比所述第一弯曲区域大并且比所述第一开口或所述第一凹槽的面积小的面积。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述有机材料层覆盖所述第一开口或所述第一凹槽的内侧表面。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述有机材料层包括至少部分地不平坦的上表面。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述有机材料层的所述上表面的不平坦部分仅设置在所述第一开口或所述第一凹槽中。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述有机材料层的所述不平坦部分具有比所述第一弯曲区域大并且比所述第一开口或所述第一凹槽的面积小的面积。
11.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述有机材料层的所述上表面包括在所述第一方向上延伸的多个凹槽,并且其中,所述凹槽限定所述上表面的不平坦部分。
12.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述第一导电层的上表面具有与所述有机材料层的所述上表面的形状对应的形状。
13.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述上表面的不平坦部分包括在与所述第一方向交叉的第二方向上的多个突起,并且其中,在所述第一开口或所述第一凹槽的中心部分处的所述突起之间的距离小于在所述第一开口或所述第一凹槽中的其他部分处的所述突起之间的距离。
14.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述上表面的不平坦部分包括在与所述第一方向交叉的第二方向上的多个突起,并且其中,从所述基板的上表面到所述第一开口或所述第一凹槽的中心部分处的所述突起的高度大于从所述基板的所述上表面到所述第一开口或所述第一凹槽中的其他部分处的所述突起的高度。
15.根据权利要求8所述的显示装置,还包括位于所述第一导电层的上部部分上的应力中和层,其中,所述应力中和层的上表面至少部分地具有与所述上表面的不平坦部分对应的形状。
16.根据权利要求15所述的显示装置,其中,所述应力中和层的所述上表面具有与所述不平坦部分的形状相同的形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的