[发明专利]线圈部件有效
申请号: | 201710073252.0 | 申请日: | 2017-02-10 |
公开(公告)号: | CN107275057B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 石田祐也 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01F27/255 | 分类号: | H01F27/255;H01F1/24;H01F27/29;H01F17/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 苗堃;金世煜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 线圈 部件 | ||
本发明提供一种即使在流过大的振幅的电流的情况下,Rac也低的线圈部件。本发明的线圈部件具备磁芯和线圈导体,上述磁芯包含具有绝缘膜的Fe系金属磁性粉和粘结材料,上述绝缘膜具有107Ω·cm以上的体积电阻率,金属磁性粉的平均粒径D50为5μm以下,且上述磁芯的导磁率为5以上。
技术领域
本发明涉及线圈部件。
背景技术
以往,对在高的频率区域使用的线圈部件的磁芯要求在高的频率区域的高导磁率和低损失特性。作为这种磁芯的例子,有将金属磁性粉压缩成型而成的压粉磁芯(例如,专利文献1)。
然而,近年来,正在采用NFC(Near Field Communication)、非接触供电,与以往相比,流过高的交流电流的电路增加。非接触供电中磁场共振方式的电路能够对多台进行供电,因此正在进行对以智能手机为代表的便携设备的研究。此外,磁场共振方式的电路使用6.78MHz的共振频率,为了在该频率下输出高的电功率,需要即使流过大的振幅的电流,Q值的下降也小的线圈部件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2003-217919号公报
发明内容
磁场共振方式的电路是与NFC电路同样的构成,但流过与NFC电路相比更大的振幅的电流且NFC电路为300mArms左右,相对于此,磁场共振方式的电路流过1Arms以上的电流。因此,若在流过这样的大的电流时交流有效电阻(Rac)大,则存在成为设备的发热的原因的问题。
因此,本发明的目的在于提供一种即使在流过大的振幅的电流的情况下,Rac也低的线圈部件。
为了解决上述课题,本发明的线圈部件的特征在于具备磁芯和线圈导体,上述磁芯含有体积电阻率为1.0×107Ω·cm以上的Fe系金属磁性粉和粘结材料且导磁率为5以上,上述金属磁性粉的平均粒径D50为5μm以下。
根据本发明,即使在流过大的振幅的电流的情况下,也能够将Rac抑制得较低。
此外,在1个方式中,上述平均粒径D50为2μm以下。根据该方式,能够一边维持高的Q值,一边进一步抑制Rac的上升。
此外,1个方式中,上述Fe系金属磁性粉的体积电阻率为1010Ω·cm以上。根据该方式,能够维持高的Q值且将初期Rac抑制得较低,同时进一步抑制Rac的上升。应予说明,本说明书中,初期Rac是指流过0.1Arms的电流时的Rac。
此外,在其它方式中,具备形成于上述磁芯上且与上述线圈导体导通的端子电极,上述粘结材料含有环状硅氧烷或支链状硅氧烷,上述端子电极含有选自Sc、Ti、V、Cr、Mn、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Hf、Ta、W以及Re中的1种。根据该方式,可以使端子电极与磁芯的密合性提高。
此外,其它方式中,上述金属磁性粉具有绝缘膜,上述绝缘膜含有无机氧化物和水溶性高分子。根据该方式,在磁芯的成型时可以抑制绝缘膜产生裂纹,因此可以抑制磁芯的电阻值下降而产生涡流损耗,在线圈部件中也维持高的Q值,将初期Rac抑制得低,同时进一步抑制Rac的上升。
此外,其它方式中,Fe系金属磁性粉具有绝缘膜,上述绝缘膜含有磷酸玻璃。根据该方式,可以维持高的Q值且将初期Rac抑制得较低,同时进一步抑制Rac的上升。
根据本发明,可以提供一种即使在流过例如1Arms以上的大的振幅的电流的情况下,Rac也低的线圈部件。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式所涉及的线圈部件的一个例子的截面示意图。
图2是表示本发明的实施方式所涉及的线圈部件的其它例子的立体示意图。
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