[发明专利]具有负截面金属结构的SAW谐振器及其制造方法

权利要求书

1.一种弹性表面波谐振器，其特征在于，包括:

压电基板；

形成于所述压电基板上部面的具有负截面的多个金属结构物；及

包裹所述压电基板上部面和所述多个金属结构物的温度补偿薄膜；

与所述压电基板上部面接触的所述金属结构物的下部面的宽幅小于所述金属结构物的上部面的宽幅，

所述金属结构物的侧面以所述压电基板上部面与所述金属结构物的下部面接触的面为基准为90°以上；

所述金属结构物侧面以所述压电基板上部面与所述金属结构物下部面接触的面为基准为90°至110°之间。

2.根据权利要求1所述的弹性表面波谐振器，其特征在于，

所述金属结构物包括Cu。

3.根据权利要求2所述的弹性表面波谐振器，其特征在于，

所述金属结构物由所述Cu的下部和侧面包含Cr、Ag、Ti、Al、Ni中的一个以上的金属形成。

4.根据权利要求1所述的弹性表面波谐振器，其特征在于，

所述金属结构物对于节距的金属线宽幅的比率为0.3～0.7。

5.根据权利要求1所述的弹性表面波谐振器，其特征在于，

所述金属结构物的厚度为周期(λ)的4％～10％。

6.根据权利要求1所述的弹性表面波谐振器，其特征在于，

所述温度补偿薄膜的厚度为周期(λ)的20％～40％。

7.根据权利要求1所述的弹性表面波谐振器，其特征在于，

所述温度补偿薄膜包含SiO₂、AlN、TeO₂中一个以上的材料。

8.根据权利要求1所述的弹性表面波谐振器，其特征在于，

所述压电基板为鈮酸鋰(LiNbO₃)128°基板。

9.一种弹性表面波谐振器制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

在压电基板上蒸镀温度补偿薄膜；

在所述温度补偿薄膜上形成光敏电阻图案；

将位于所述形成光敏电阻图案的开启部分的所述温度补偿薄膜进行蚀刻而去除；

去除所述光敏电阻；

形成具有负截面的金属结构物薄膜；

去除所述金属结构物薄膜至裸露所述温度补偿薄膜的区域；及

附加地蒸镀温度补偿薄膜；

将所述温度补偿薄膜蚀刻而去除的步骤，去除所述温度补偿薄膜时，使得宽幅离所述压电基板越近越窄，在所述金属结构物薄膜的形成步骤中，所述金属结构物的侧面以所述压电基板上部面与所述金属结构物的下部面接触的面为基准形成90°以上；

所述金属结构物侧面以所述压电基板上部面与所述金属结构物下部面接触的面为基准为90°至110°。

10.根据权利要求9所述的弹性表面波谐振器制造方法，其特征在于，

形成所述金属结构物薄膜的步骤是由包含Cu的材料形成薄膜。

11.根据权利要求9所述的弹性表面波谐振器制造方法，其特征在于，

形成所述金属结构物薄膜的步骤是，在形成包含Cr、Ag、Ti、Al、Ni中一个以上的金属层后，由包含Cu的材料形成薄膜。

12.根据权利要求9所述的弹性表面波谐振器制造方法，其特征在于，

所述金属结构物是对于节距的金属线宽幅的比率为0.3～0.7。

13.根据权利要求9所述的弹性表面波谐振器制造方法，其特征在于，

所述金属结构物的厚度为周期(λ)的4％～10％。

14.根据权利要求9所述的弹性表面波谐振器制造方法，其特征在于，

所述温度补偿薄膜的厚度为周期(λ)的20％～40％。

15.根据权利要求9所述的弹性表面波谐振器制造方法，其特征在于，

在所述压电基板上蒸镀温度补偿薄膜的步骤是蒸镀SiNx及SiOx混合物，或蒸镀SiNx薄膜层后蒸镀SiOx薄膜层。