[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包含：

一主动层；

至少一源极电极与至少一漏极电极，置于该主动层上；

至少一栅极电极，置于该主动层上以及该源极电极与该漏极电极之间；

一第一绝缘层，置于该源极电极、该漏极电极与该栅极电极上；

至少一栅极金属层，置于该栅极电极与该第一绝缘层上，其中该栅极金属层包含至少一窄部与至少一宽部；

至少一贯穿结构，置于该栅极金属层与该栅极电极之间；

至少一第一源极金属层，置于该源极电极与该第一绝缘层上；

至少一漏极金属层，置于该漏极电极与该第一绝缘层上；以及

至少一第二源极金属层，置于该第一绝缘层上以及该栅极金属层与该漏极金属层之间，

该栅极金属层的该窄部与该宽部沿着一方向交替排列，且该栅极电极包含至少一窄部与至少一宽部，该栅极电极的该窄部与该宽部沿着该方向排列，该贯穿结构置于该栅极金属层的宽部与该栅极电极的宽部之间。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该栅极金属层的该窄部与该宽部沿着一方向交替排列，且该栅极金属层、该第一源极金属层、该第二源极金属层与该漏极金属层实质沿该方向延伸。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该栅极金属层、该第一源极金属层、该第二源极金属层与该漏极金属层为同层结构。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该栅极金属层的该窄部与该宽部沿着一方向交替排列，且该栅极金属层与该栅极电极实质沿着该方向延伸。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该栅极金属层之该宽部的一部分朝着该漏极金属层延伸。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第二源极金属层包含至少一窄部与至少一宽部，该第二源极金属层之该窄部毗邻该栅极金属层之该宽部，且该第二源极金属层的该宽部毗邻该栅极金属层的该窄部。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中该栅极金属层的数量为多个，多个栅极金属层的该宽部的一部分朝着该第一源极金属层延伸，且连接至另外的多个栅极金属层的该宽部。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其中该第一源极金属层包含互相分开的多个源极块。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其中至少一所述多个源极块被互相连接的所述多个栅极金属层所环绕。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其中该栅极电极的该宽部的一部分朝着该漏极电极延伸。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其中该栅极电极的数量为多个，多个栅极电极的该宽部的一部分朝着该源极电极延伸，且连接至另外的栅极电极的该宽部。

12.如权利要求1所述的半导体装置，其中该源极电极包含互相分开的多个源极块。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其中该第一源极金属层包含互相分开的多个源极块，且该第一源极金属层之所述多个源极块与该源极电极之所述多个源极块重叠。

14.如权利要求1所述的半导体装置，其中多个所述贯穿结构置于该栅极金属层的该宽部与该栅极电极的该宽部之间。

15.如权利要求1所述的半导体装置，其中该栅极金属层的该宽部与该栅极电极的该宽部重叠，且该栅极金属层的该窄部与该栅极电极的该窄部重叠。