[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一第一鳍状场效晶体管(fin field effect transistor,FinFET)，包括：一第一鳍结构，往一第一方向延伸、一第一栅极结构，往与该第一方向交叉的一第二方向延伸、及一第一源极/漏极(S/D)结构；及

一接触条(contact bar)，位于该第一源极/漏极结构之上，在平面图中往与该第一源极/漏极结构交叉的该第二方向延伸，其中：

该接触条包括一第一部分，位于该第一源极/漏极结构之上，及一第二部分，

该第二部分未与鳍结构及源极/漏极结构重叠，及

在平面图中，该第二部分于该第一方向的宽度小于该第一部分于该第一方向的宽度，其中在剖面图中，该第二部分的厚度小于该第一部分的厚度。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中在剖面图中该第二部分的厚度小于该第一部分的厚度。

3.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：

一第二鳍状场效晶体管，包括：一第二鳍结构，往该第一方向延伸、一第二栅极结构，往该第二方向延伸、及一第二源极/漏极结构，其中：

该接触条连接该第一源极/漏极结构及该第二源极/漏极结构，

该接触条包括一第三部分，位于该第二源极/漏极结构之上，

在平面图中，该第二部分于该第一方向的宽度小于该第三部分于该第一方向的宽度。

4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该第三部分的宽度等于该第一部分的宽度。

5.如权利要求3所述的半导体元件，其中在剖面图中，该第二部分的厚度小于该第三部分的厚度。

6.如权利要求3所述的半导体元件，其中该第二部分位于该第一部分与该第三部分之间。

7.如权利要求3所述的半导体元件，还包括：

一第三鳍状场效晶体管，包括一第三鳍结构，往该第一方向延伸、一第三栅极结构，往该第二方向延伸、及一第三源极/漏极结构，其中：

该第一至第三鳍结构往该第一方向延伸，该第一至第三鳍结构沿与该第一方向交叉的该第二方向排列，

沿该第二方向，该第三鳍结构的一末端正对该第二部分。

8.一种半导体元件，包括

多个鳍状场效晶体管(FinFETs)，各自包括：一鳍结构，往一第一方向延伸、一栅极结构，往与该第一方向交叉的一第二方向延伸、及一源极/漏极(S/D)结构；及

多个接触条，位于该多个源极/漏极结构中的一第一源极/漏极结构之上，并往该第二方向延伸，其中：

该多个接触条包括一第一接触条，

该第一接触条包括一第一部分，位于该第一源极/漏极结构之上，及一第二部分，

该第二部分未与鳍结构及源极/漏极结构重叠，及

在平面图中，该第二部分于该第一方向的宽度小于该第一部分于该第一方向的宽度，其中在剖面图中该第二部分的厚度小于该第一部分的厚度。

9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该多个接触条还包括：一第二接触条，与该第一接触条平行，及该第二接触条在该第一方向的宽度除了末端部分外为定值。

10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该第二接触条的宽度等于该第一部分的宽度。

11.如权利要求8所述的半导体元件，其中：

该多个接触条还包括一第二接触条，平行于该第一接触条，

该第二接触条包括一第三部分位于该多个源极/漏极结构中的一第二源极/漏极结构之上，及一第四部分，

该第四部分未与鳍结构及源极/漏极结构重叠，及

在平面图中，该第三部分于该第一方向的宽度等于该第四部分于该第一方向的宽度。

12.如权利要求11所述的半导体元件，其中该第三部分的宽度等于该第一部分的宽度。