[发明专利]基本电路、射频信号放大器及应用在审
申请号: | 201710073875.8 | 申请日: | 2017-02-10 |
公开(公告)号: | CN106849888A | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | 姚一锟;郝东;李健梅;单欣岩;郭阳;陆兴华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H03F3/19 | 分类号: | H03F3/19;H03F1/00;H03F1/34 |
代理公司: | 北京市英智伟诚知识产权代理事务所(普通合伙)11521 | 代理人: | 刘丹妮 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基本 电路 射频 信号 放大器 应用 | ||
1.一种基本电路,其特征在于,所述基本电路由尺寸最小化布线操作实现的,所述尺寸最小化布线操作包括,
删除非必要原件,所述非必要原件包括但不限于增益平坦度调节与部分电压供给滤波元件;
缩短微带线长度以无源原件阻抗值调整弥补其负面影响;
平行错位主信号传输路径以压缩路径长度。
2.根据权利要求1所述的基本电路,其特征在于,所述基本电路选用印制电路板及耐高温焊料,所述耐高温焊料包括但不限于:高温焊锡或导电银胶,所述印制电路板不使用有机材料,并采用压印覆铜工艺制作;优选地,所述印制电路板是罗杰斯高频板型。
3.根据权利要求2所述的基本电路,其特征在于,所述基本电路的信号输入输出端所直接连接的覆铜箔,添加过孔与所述印制电路板背面的两块孤立覆铜箔通过焊料相连。
4.根据权利要求1-3任一项所述的基本电路,其特征在于,所述基本电路的工作功率范围为100毫瓦以内;
优选地,所述工作功率范围为50毫瓦以内;
更优选地,所述工作范围为5~25毫瓦;
进一步优选地,所述工作功率为9~15毫瓦。
5.一种兼容低温超高真空系统的射频信号放大器,其特征在于,所述射频信号放大器包括权利要求1-4任一项所述的基本电路;
优选地,所述射频信号放大器进一步包括外金属屏蔽壳。
6.根据权利要求5所述的射频信号放大器,其特征在于,所述外金属屏蔽壳使用航空材料为主体,结合表面镀金工艺制作;
优选地,所述航空材料为钛金属。
7.根据权利要求5或6所述的射频信号放大器,其特征在于,所述外金属屏蔽壳包括利用金属自身的弹性达到机械咬合的两个独立金属壳,即外金属屏蔽壳顶壳和外金属屏蔽壳底壳;
优选地,所述外金属屏蔽壳顶壳和所述外金属屏蔽壳底壳均包括内部的机械层与外部镀着的导热层;
更优选地,所述机械层为金属钛,所述导热层为金导热层或银导热层;进一步优选地,所述外金属屏蔽壳底壳添加L形槽,所述L形槽用于金属屏蔽壳卡住所述电路板并且与所述印制电路板背部接地覆铜箔接触时,信号输入输出端相连的印制电路板背面两块孤立覆铜箔与金属壳不接触造成短路。
8.根据权利要求5-7任一项所述的射频信号放大器,其特征在于,所述射频信号放大器进一步包括信号与电源供给线,所述信号与电源供给线包括信号输入线,信号输出线,电源供给线三部分;
所述信号输入线采用1mm直径的镀金编制网超柔同轴线;和/或
所述信号输出线采用低热导率的0.81模块焊接同轴线;和/或
所述电源供给线采用低热导率的有绝缘层包裹的细金属线;
优选地,所述信号与电源供给线直接与所述印制电路板连接。
9.根据权利要求5-8任一项所述的射频信号放大器,其特征在于,所述射频信号放大器的尺寸范围长为:8~20毫米,宽为:4~10毫米;
优选地,长为:8~15毫米,宽为4~6毫米;
最优选地,所述基本电路的尺寸长为10.47毫米,宽为4.79毫米。
10.根据权利要求1-4任一项所述的基本电路或权利要求5-9任一项所述的射频信号放大器在制备高频电路设计与低温超高真空系统中的应用。
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