[发明专利]一种太阳能光伏光热复合装置

权利要求书

1.一种太阳能光伏光热复合装置，其特征在于：包括光伏组件、光伏组件背面设置的集热管和隔热保温盖板，隔热保温盖板将集热管夹在光伏组件与隔热保温盖板之间，在光伏组件与集热管之间设置有蒸煮袋，集热管设在蒸煮袋与隔热保温盖板之间，接线板与光伏组件电连接，接线板嵌在隔热保温盖板上，隔热保温盖板与光伏组件固联，在隔热保温盖板外框上设置有与集热管连通的上水口和出水口，所述光伏组件设置在框架内，光伏组件由上至下依次由钢化玻璃板、上EVA膜、电池片、下EVA膜和绝缘膜热合而成，蒸煮袋夹在绝缘膜与集热管之间，集热管后面装有隔热保温盖板，蒸煮袋与隔热保温盖板之间的距离小于集热管的直径，隔热保温盖板与光伏组件的框架固联，所述电池片为GaAs电池片。

2.根据权利要求1所述的一种太阳能光伏光热复合装置，其特征在于：集热管是排列在蒸煮袋与隔热保温盖板之间的蛇形管，上水口和出水口分别与与蛇形管的两端连通。

3.根据权利要求1所述的一种太阳能光伏光热复合装置，其特征在于：集热管由相互连通的横管和竖管构成。

4.根据权利要求1所述的一种太阳能光伏光热复合装置，其特征在于：所述GaAs电池片包括串联成一体的复数个子电池，所述子电池包括在衬底上面自下至上依次生长的p-GaAs反结层、 i-GaAs非掺杂层、n-GaAs缓冲层、n-GaAs窗口层、n-GaAs基区层、p-GaAs 发射层、p-GaAs窗口层和p-GaAs重掺层构成的P-N-N-P反结外延结构；子 电池的上电极制于p-GaAs重掺层上，子电池的下电极制于下电极区域，所 述下电极区域为去掉P-N-N-P反结外延结构中部分p-GaAs重掺层、p-GaAs 窗口层、p-GaAs发射层、n-GaAs基区层和n-GaAs窗口层露出的n-GaAs缓 冲层；所述上电极下面的P-N-N-P反结外延结构和下电极下面的n-GaAs缓 冲层、i-GaAs非掺杂层、p-GaAs反结层之间有隔离槽，隔离槽内的露出的 衬底作为隔离槽底部。

5.根据权利要求4所述的一种太阳能光伏光热复合装置，其特征在于：所述 上电极为上电极金下层、上电极银层和上电极金上层蒸镀成的一体。

6.根据权利要求4所述的一种太阳能光伏光热复合装置，其特征在于：所述下电极为下电极金下层、下电极锗层、下电极银层和下电极金上层蒸镀成的一体。

7.根据权利要求4所述的一种太阳能光伏光热复合装置，其特征在于：所述复数个子电池串联成一体用的金丝焊接作为互联电极。

8.根据权利要求4所述的一种太阳能光伏光热复合装置，其特征在于：构成GaAs电池片的衬底周围的电池边界线围城15cm×15cm的电池面积。