[发明专利]一种系统级封装芯片及其封装方法有效
申请号: | 201710075626.2 | 申请日: | 2017-02-13 |
公开(公告)号: | CN108428694B | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 张瑾 | 申请(专利权)人: | 深圳市中兴微电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/52;H01L21/50 |
代理公司: | 11262 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王素燕;龙洪 |
地址: | 518055 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 倒扣 封装基板 凹形 凸形 系统级封装 倒装键合 封装 | ||
1.一种系统级封装SiP芯片,其特征在于,所述SiP芯片包括:封装基板及位于所述封装基板上的一个第一芯片及至少一个第二芯片;其中,
所述第一芯片及所述至少一个第二芯片分别采用倒装键合的方式与所述封装基板相连;
所述第一芯片上设置有凹形倒扣接口,所述第二芯片上设置有凸形倒扣接口;或者,所述第一芯片上设置有凸形倒扣接口,所述第二芯片上设置有凹形倒扣接口;
所述第一芯片与所述至少一个第二芯片通过所述凹形倒扣接口及所述凸形倒扣接口相连;
其中,所述凹形倒扣接口及所述凸形倒扣接口上均设置有微型金属凸点;所述第一芯片及所述第二芯片上均设置有焊料凸点;
所述第一芯片的微型金属凸点通过硅通孔TSV结构连接至所述第一芯片的焊料凸点,并通过重布线层RDL结构连接至所述第一芯片的内部电路;
所述第二芯片的微型金属凸点通过TSV结构连接至所述第二芯片的焊料凸点,并通过RDL结构连接至所述第二芯片的内部电路。
2.根据权利要求1所述的SiP芯片,其特征在于,
连接所述第一芯片及所述第二芯片的凹形倒扣接口及凸形倒扣接口之间设置有可溶解键合胶。
3.根据权利要求1或2所述的SiP芯片,其特征在于,
所述第一芯片及所述至少一个第二芯片外侧包覆有可拆卸包封盖。
4.根据权利要求1或2所述的SiP芯片,其特征在于,
所述第一芯片和/或所述第二芯片上设置有至少一个第三芯片;所述封装基板上设置有导电焊盘;
所述至少一个第三芯片通过TSV结构连接至所述导电焊盘。
5.根据权利要求4所述的SiP芯片,其特征在于,
当所述第一芯片上设置有两个或多于两个第三芯片,和/或所述第二芯片上设置有两个或多于两个第三芯片时,所述两个或多于两个第三芯片采用堆叠的方式放置。
6.根据权利要求4所述的SiP芯片,其特征在于,
当所述SiP芯片包括两个或多于两个第三芯片时,不同的第三芯片上分别设置有凹形倒扣接口及凸形倒扣接口;
所述不同的第三芯片之间采用所述凹形倒扣接口及凸形倒扣接口相连的方式连接。
7.一种SiP芯片封装方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一个封装基板、一个第一芯片及至少一个第二芯片;其中,所述第一芯片上设置有凹形倒扣接口,所述第二芯片上设置有凸形倒扣接口;或者,所述第一芯片上设置有凸形倒扣接口,所述第二芯片上设置有凹形倒扣接口;
将所述第一芯片及所述至少一个第二芯片分别通过倒装键合的方式与所述封装基板相连;
将所述第一芯片与所述至少一个第二芯片通过所述凹形倒扣接口及所述凸形倒扣接口相连;
其中,所述凹形倒扣接口及所述凸形倒扣接口上均设置有微型金属凸点;所述第一芯片及所述第二芯片上均设置有焊料凸点;所述方法还包括:
将所述第一芯片的微型金属凸点通过TSV结构连接至所述第一芯片的焊料凸点,并通过RDL结构连接至所述第一芯片的内部电路;
将所述第二芯片的微型金属凸点通过TSV结构连接至所述第二芯片的焊料凸点,并通过RDL结构连接至所述第二芯片的内部电路。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在连接所述第一芯片及所述第二芯片的凹形倒扣接口及凸形倒扣接口之间设置可溶解键合胶。
9.根据权利要求7或8所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
采用可拆卸包封盖包覆所述第一芯片及所述至少一个第二芯片。
10.根据权利要求7或8所述的方法,其特征在于,所述封装基板上设置有导电焊盘;所述方法还包括:
提供至少一个第三芯片,将所述至少一个第三芯片设置于所述第一芯片和/或所述第二芯片上,并通过TSV结构连接至所述封装基板的导电焊盘。
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