[发明专利]气体传感器

权利要求书

1.一种气体传感器，其特征在于，包括：

至少一第一电极，位于第一衬底上，其中所述至少一第一电极包括彼此间隔开的多个第一电极；

传感结构，位于所述至少一第一电极与所述第一衬底上，所述传感结构包括：

第一半导体层，具有第一导电型，覆盖所述第一衬底与所述至少一第一电极，其中所述第一半导体层位于相邻的两个第一电极之间以形成所述第一导电型的第一界面；以及

第二半导体层，具有第二导电型，位于所述第一半导体层上，其中所述第一导电型和所述第二导电型的接面形成于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；

至少一第二电极，覆盖所述传感结构，其中所述至少一第二电极包括彼此间隔开的多个第二电极，且所述第二半导体层位于相邻的两个第二电极之间以形成所述第二导电型的第二界面；以及

第二衬底，覆盖所述至少一第二电极与所述传感结构，

其中相邻的两个第一电极及位于所述相邻的两个第一电极之间的所述第一半导体层构成具有所述第一导电型的所述第一界面的第一传感器，

相邻的两个第二电极及位于所述相邻的两个第二电极之间的所述第二半导体层构成具有所述第二导电型的所述第二界面的第二传感器，且

所述至少一第一电极、所述至少一第二电极、所述第一半导体层和所述第二半导体层构成具有所述第一导电型和所述第二导电型的所述接面的第三传感器。

2.根据权利要求1所述的气体传感器，其中所述第一衬底与所述第二衬底各包括孔洞材料。

3.根据权利要求2所述的气体传感器，其中所述至少一第一电极与所述至少一第二电极分别延伸至所述第一衬底与所述第二衬底的孔洞中。

4.根据权利要求1所述的气体传感器，其中所述第一半导体层与所述第二半导体层其中之一的材料包括n型半导体材料，所述第一半导体层与所述第二半导体层其中的另一材料包括p型半导体材料。

5.根据权利要求4所述的气体传感器，其中所述第一半导体层与所述第二半导体层直接接触。

6.根据权利要求1所述的气体传感器，其中所述多个第一电极包括第一指叉电极与第二指叉电极，所述第一指叉电极具有第一主体部以及多个第一延伸部，所述第二指叉电极具有第二主体部以及多个第二延伸部，其中所述第一主体部以及所述第二主体部相对设置，且所述多个第一延伸部以及所述多个第二延伸部以交替排列的方式设置。

7.根据权利要求6所述的气体传感器，其中所述多个第二电极包括第三指叉电极与第四指叉电极，所述第三指叉电极具有第三主体部以及多个第三延伸部，所述第四指叉电极具有第四主体部以及多个第四延伸部，其中所述第三主体部以及所述第四主体部相对设置，且所述多个第三延伸部以及所述多个第四延伸部以交替排列的方式设置。

8.根据权利要求1所述的气体传感器，其中所述第一衬底、所述至少一第一电极、所述传感结构、所述至少一第二电极或所述第二衬底的形成方法包括三维打印法、喷墨印刷法或其组合。

9.根据权利要求1所述的气体传感器，其中所述至少一第一电极或所述至少一第二电极具有与外部线路连接的端点。

10.根据权利要求1所述的气体传感器，其中所述第一衬底与所述第二衬底的形成方法包括压印法、真空抽滤法或其组合。

11.根据权利要求1所述的气体传感器，其中形成所述至少一第一电极、形成所述第一半导体层、形成所述第二半导体层以及形成所述至少一第二电极的步骤包括三维打印法、喷墨印刷法或其组合。