[发明专利]用于选择性蚀刻膜的系统和方法

权利要求书

1.一种用于蚀刻衬底的方法，包括：

a)将所述衬底布置在处理室的下室区域中，其中感应线圈被布置在所述处理室的上室区域周围；

b)设定室压强；

c)设置用于RF等离子体的RF频率和RF功率，其中，所述RF功率通过所述感应线圈以所述RF频率提供，以在所述上室区域内产生所述RF等离子体，其特征在于电模式(E-模式)与磁模式(H-模式)耦合的多个比率，其中所述多个比率的第一比率对应于E模式，并且所述多个比率的第二比率对应于H模式；

d)将等离子体气体混合物供应到所述上室区域；

e)以电模式(E-模式)和磁模式(H-模式)中的一种在所述上室区域中激励所述RF等离子体；并且

f)在所述衬底的等离子体处理期间，改变所述室压强、所述RF频率、所述RF功率、和所述等离子体气体混合物中的至少一个，以在所述第一比率和所述第二比率之间转变多次；以及

在激励所述RF等离子体之后的预定时间段将所述E-模式和所述H-模式中的一者切换到所述E-模式和所述H-模式中的另一者,其中所述预定时间段对应于所述衬底的层的击穿的估计时间。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体气体混合物包括N种气体，并且其中所述N种气体中的至少一种的流速在第一流速和第二流速之间被多次调整以在所述第一比率和所述第二比率之间转变。

3.根据权利要求1所述的方法，其中改变所述等离子体气体混合物包括添加气体物质或从所述等离子体气体混合物移除气体物质以切换到所述E-模式和所述H-模式中的另一者。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述室压强被执行增大或减小中的至少一种操作，以切换到所述E-模式和所述H-模式中的另一者。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述RF功率被执行增大或减小中的至少一种操作，以切换到所述E-模式和所述H-模式中的另一者。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述RF频率被执行增大或减小中的至少一种操作，以切换到所述E-模式和所述H-模式中的另一者。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括在e)之后的预定时间段执行f)。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述预定时间段对应于所述衬底的层的击穿的估计时间。

9.根据权利要求1所述的方法，其还包括：

使用感应线圈来供应所述RF功率，其中所述感应线圈包括布置在所述上室区域周围的第一线圈和第二线圈，所述第一线圈的特征在于具有第一直径并且所述第二线圈的特征在于具有第二直径，其中所述第二直径大于所述第一直径；和

在f)期间改变提供给所述第一线圈和第二线圈中的至少一个的所述RF功率和所述RF频率中的至少一个。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述RF等离子体包括电感耦合等离子体。