[发明专利]电容器封装结构及其抗氧化复合式电极箔

权利要求书

1.一种抗氧化复合式电极箔，其特征在于，所述抗氧化复合式电极箔包括：

一基底材料结构，所述基底材料结构具有一上表面以及一下表面；

一第一低活性金属结构，所述第一低活性金属结构设置在所述基底材料结构的上表面；以及

一第一含碳材料结构，所述第一含碳材料结构设置在所述第一低活性金属结构上，其中，穿过所述第一含碳材料结构的外界氧气被阻挡在所述第一低活性金属结构的外部。

2.根据权利要求1所述的抗氧化复合式电极箔，其特征在于，所述抗氧化复合式电极箔进一步包括：

一第二低活性金属结构，所述第二低活性金属结构设置在所述基底材料结构的下表面；以及

一第二含碳材料结构，所述第二含碳材料结构设置在所述第二低活性金属结构上，其中，穿过所述第二含碳材料结构的外界氧气被阻挡在所述第二低活性金属结构的外部。

3.根据权利要求2所述的抗氧化复合式电极箔，其特征在于，所述基底材料结构为一单一的金属层或者一由多个金属层依序堆栈所形成，其中，所述第一低活性金属结构为一单一的第一低活性金属层或者一由多个第一低活性金属层依序堆栈所形成，且所述第一含碳材料结构为一单一的第一含碳材料层或者一由多个第一含碳材料层依序堆栈所形成，其中，所述第二低活性金属结构为一单一的第二低活性金属层或者一由多个第二低活性金属层依序堆栈所形成，且所述第二含碳材料结构为一单一的第二含碳材料层或者一由多个第二含碳材料层依序堆栈所形成。

4.根据权利要求1所述的抗氧化复合式电极箔，其特征在于，所述抗氧化复合式电极箔进一步包括：

一导电材料结构，所述导电材料结构设置在所述基底材料结构的下表面；以及

一第二含碳材料结构，所述第二含碳材料结构设置在所述导电材料结构上；

其中，所述导电材料结构的其中一部分为接触所述第二含碳材料结构的一最外层，所述导电材料结构的所述最外层为通过氧化作用而形成的一含氧金属化合物层，且所述含氧金属化合物层设置于所述导电材料结构的其余部分与所述第二含碳材料结构之间，以阻挡穿过所述第二含碳材料结构的外界氧气去接触所述导电材料结构的其余部分。

5.一种抗氧化复合式电极箔，其特征在于，所述抗氧化复合式电极箔包括：

一基底材料结构；

一第一低活性金属结构，所述第一低活性金属结构设置在所述基底材料结构上；以及

一第一含碳材料结构，所述第一含碳材料结构设置在所述第一低活性金属结构上。

6.根据权利要求5所述的抗氧化复合式电极箔，其特征在于，所述抗氧化复合式电极箔进一步包括：

一第二低活性金属结构，所述第二低活性金属结构设置在所述基底材料结构上；以及

一第二含碳材料结构，所述第二含碳材料结构设置在所述第二低活性金属结构上。

7.根据权利要求5所述的抗氧化复合式电极箔，其特征在于，所述抗氧化复合式电极箔进一步包括：

一导电材料结构，所述导电材料结构设置在所述基底材料结构上；以及

一第二含碳材料结构，所述第二含碳材料结构设置在所述导电材料结构上；

其中，所述导电材料结构的其中一部分为接触所述第二含碳材料结构的一含氧金属化合物层，且所述含氧金属化合物层设置于所述导电材料结构的其余部分与所述第二含碳材料结构之间。