[发明专利]包括金属相二硫化钼层的析氢催化电极及其制备方法在审
申请号: | 201710076422.0 | 申请日: | 2017-02-13 |
公开(公告)号: | CN107059051A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 张广宇;杨蓉;祝建琪;时东霞 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | C25B11/06 | 分类号: | C25B11/06;C25B1/04;C23C16/26;C23C16/30;C23C16/01 |
代理公司: | 北京市正见永申律师事务所11497 | 代理人: | 黄小临,冯玉清 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 金属 二硫化钼 催化 电极 及其 制备 方法 | ||
1.一种析氢催化电极,包括:
导电金属层;
位于所述导电金属层上的石墨烯层;以及
位于所述石墨烯层上的二硫化钼层。
2.如权利要求1所述的析氢催化电极,其中,所述二硫化钼层包括二硫化钼单层或多层,且
其中,所述石墨烯层包括石墨烯单层或多层。
3.如权利要求1所述的析氢催化电极,其中,所述二硫化钼层的至少上表面具有金属相。
4.如权利要求1所述的析氢催化电极,其中,所述导电金属层包括Au层、Cr层、Ni层、Ta层、Ag层、Cu层中的一种或多种。
5.一种制备析氢催化电极的方法,包括:
在衬底上沉积二硫化钼层;
在所述二硫化钼层上沉积石墨烯层;以及
在所述石墨烯层上沉积导电金属层。
6.如权利要求5所述的方法,还包括:
将所沉积的二硫化钼层、石墨烯层和导电金属层的叠层结构从所述衬底剥离,以暴露所述二硫化钼层;以及
对所述二硫化钼层执行等离子体处理,以使得所述二硫化钼层的至少表面部分具有金属相。
7.如权利要求6所述的方法,其中,剥离所述叠层结构包括使用热释放胶带将所述叠层结构从所述衬底剥离。
8.如权利要求6所述的方法,其中,对所述二硫化钼层执行等离子体处理包括使用氩等离子体来处理所述二硫化钼层的表面。
9.如权利要求5所述的方法,其中,沉积二硫化钼层包括通过化学气相沉积工艺沉积二硫化钼的单层或多层,且
其中,沉积石墨烯层包括通过等离子体辅助化学气相沉积工艺沉积石墨烯单层或多层。
10.如权利要求5所述的方法,其中,所述导电金属层包括Au层、Cr层、Ni层、Ta层、Ag层、Cu层中的一种或多种。
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