[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

衬底，其具有包括沟道区域的有源区；

覆盖所述有源区的顶表面的栅绝缘层；

栅电极，其覆盖所述有源区的所述顶表面上的所述栅绝缘层；

掩埋绝缘图案，其在所述栅电极的下侧于所述有源区的所述沟道区域中，并且与所述衬底的顶表面间隔开；以及

在所述衬底中位于所述掩埋绝缘图案的两侧并且从所述衬底的所述顶表面延伸到比所述掩埋绝缘图案的高度更低的高度的一对源/漏区域，

其中所述一对源/漏区域中的每个包括第一源/漏区域和具有比所述第一源/漏区域的掺杂浓度更高的掺杂浓度的第二源/漏区域，并且所述第一源/漏区域包括在所述第二源/漏区域的底表面之下延伸的部分，

其中所述沟道区域的顶表面、所述第一源/漏区域的顶表面和所述第二源/漏区域的顶表面彼此共平面。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中在垂直于所述衬底的主表面的方向上所述掩埋绝缘图案的全部重叠所述栅电极。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中在所述一对源/漏区域间的间距的方向上，所述掩埋绝缘图案的宽度等于所述栅电极的宽度。

4.如权利要求2所述的半导体器件，其中在所述一对源/漏区域间的间距的方向上，所述掩埋绝缘图案的宽度小于所述栅电极的宽度。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述掩埋绝缘图案的一端的一部分和另一端的一部分与所述一对源/漏区域分别接触。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中与所述第二源/漏区域延伸相比，所述第一源/漏区域朝所述栅电极的下侧更进一步地延伸。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中相对于所述衬底的主表面，所述第一源/漏区域的底表面的高度低于所述第二源/漏区域的底表面的高度。

8.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述掩埋绝缘图案的一端的一部分和另一端的一部分与所述一对源/漏区域中的所述第一源/漏区域分别接触。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述沟道区域包括在所述掩埋绝缘图案的上侧的上部沟道区域、以及在所述掩埋绝缘图案的下侧的下部沟道区域，所述上部沟道区域和所述下部沟道区域通过所述掩埋绝缘图案彼此分隔开，并且所述上部沟道区域的掺杂浓度小于所述下部沟道区域的掺杂浓度。

10.一种半导体器件，其包括：

衬底，其包括第一区域、第二区域和隔离层，所述隔离层在所述第一区域和第二区域中的每个中限定包括沟道区域的有源区；

栅绝缘层，其覆盖所述第一区域和所述第二区域中的每个中的所述有源区的顶表面；

栅电极，其覆盖所述第一区域和所述第二区域中的每个中的所述有源区的所述顶表面上的所述栅绝缘层；

设置在所述第二区域中的掩埋绝缘图案，其在所述第二区域中的所述栅电极的下侧处的所述有源区的所述沟道区域中，并且与所述衬底的顶表面间隔开；

一对第一源/漏区域，其在所述第一区域中的所述栅电极的两侧处的所述衬底中；以及

在所述第二区域中的一对第二源/漏区域，其在所述掩埋绝缘图案的两侧处的所述衬底中，并且从所述衬底的所述顶表面延伸到比所述掩埋绝缘图案的高度更低的高度，

其中，在所述第一区域中，所述有源区从所述衬底的所述顶表面延伸到所述隔离层的底表面，

其中所述一对第二源/漏区域中的每个包括第二低浓度源/漏区域和具有比所述第二低浓度源/漏区域的掺杂浓度更高的掺杂浓度的第二高浓度源/漏区域，并且所述第二低浓度源/漏区域包括在所述第二高浓度源/漏区域的底表面之下延伸的部分，

其中所述沟道区域的顶表面、所述第二低浓度源/漏区域的顶表面和所述第二高浓度源/漏区域的顶表面彼此共平面。