[发明专利]用于观测IGBT芯片Al金属化层剖面微结构的试样制备方法

权利要求书

1.一种用于观测IGBT芯片Al金属化层剖面微结构的试样制备方法，其特征在于包括以下步骤：

A)采用机械方法去除整个IGBT模块的外壳和盖板；

B)将去除外壳和盖板的IGBT模块置于硅胶去除剂中浸泡24小时，去除IGBT模块中芯片表面的硅胶；

C)将IGBT模块置于热熔炉上，待芯片与基板之间的焊料熔化后，取下IGBT芯片；

D)将取下的IGBT芯片进行镶样处理；

E)对镶好的试样进行磨削和抛光处理，具体如下：

(a)在磨抛机上利用P800砂纸打磨试样直至露出试样截面；

(b)利用P2000砂纸对经步骤(a)处理过的试样截面进行精磨5～10min；

(c)利用去离子水冲洗经步骤(b)处理过的试样截面，并在磨抛机上对其进行抛光，采用粒度为0.5μm的抛光液抛光10～20min；

(d)采用粒度为0.25μm的抛光液对经步骤(c)处理过的试样截面抛光20～30min；

(e)利用去离子水冲洗经步骤(d)处理过的试样截面；

(f)将经步骤(e)处理过的试样放入盛有酒精和丙酮混合溶液的烧杯中，一同放入超声波清洗仪里清洗10～15min；

(g)将经步骤(f)清洗过的试样取出并吹干，放入试样盒中，再将其放于真空干燥箱中，避免将试样暴露在空气中。

2.根据权利要求1所述的用于观测IGBT芯片Al金属化层剖面微结构的试样制备方法，其特征在于所述的IGBT模块长度≥100mm，宽度≥50mm，高度≥15mm。

3.根据权利要求1所述的用于观测IGBT芯片Al金属化层剖面微结构的试样制备方法，其特征在于所述的IGBT芯片长度≤10mm，宽度≤10mm，厚度≤300μm。