[发明专利]衬底处理装置有效
申请号: | 201710076980.7 | 申请日: | 2017-02-13 |
公开(公告)号: | CN107086189B | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 藤野敏树;藤井优磨;野野村一树;马场美德;竹林雄二;寿崎健一 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C16/455 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;李文屿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 | ||
1.一种衬底处理装置,具有:
处理室,搭载并收纳多个衬底;
加热系统,以规定温度加热所述处理室;
原料气体供给系统,具有原料气体喷嘴,并且从所述原料气体喷嘴向所述处理室供给原料气体,所述原料气体喷嘴在所述处理室的所述衬底的搭载方向上延伸且具有多个供给孔和多个减压孔,所述多个供给孔在与所述衬底的搭载区域相对应的高度开口,所述多个减压孔在比所述多个供给孔更靠下部且所述原料气体喷嘴内变得比所述规定温度低的位置开口,降低所述原料气体喷嘴内的压力,所述减压孔的开口面积构成为大于所述供给孔的开口面积;
反应气体供给系统,向所述处理室供给与所述原料气体反应的反应气体;和
控制部,构成为控制所述加热系统、所述原料气体供给系统和所述反应气体供给系统,交替进行下述处理从而在所述衬底上形成膜:将以搭载状态收纳了多个衬底的所述处理室以所述规定温度加热,并且从所述原料气体喷嘴向所述处理室供给所述原料气体的处理;和向所述处理室供给所述反应气体的处理。
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置,所述多个供给孔及所述多个减压孔的总开口面积分别相对于所述多个供给孔的总开口面积和所述多个减压孔的总开口面积之和的比率,分别被设定为使得所述原料气体喷嘴内的温度及压力之积成为所述原料气体在所述原料气体喷嘴内不发生自分解的值。
3.根据权利要求1所述的衬底处理装置,所述多个供给孔具有从所述原料气体喷嘴的上游向下游而逐渐变大的开口面积。
4.根据权利要求1所述的衬底处理装置,所述多个减压孔分别具有相同的开口面积。
5.根据权利要求1所述的衬底处理装置,所述多个供给孔之中的最下段的供给孔与所述多个减压孔之中的最上段的减压孔之间的距离大于所述最下段的供给孔的孔径。
6.根据权利要求1所述的衬底处理装置,所述原料气体喷嘴构成为最上部向上开口。
7.根据权利要求6所述的衬底处理装置,所述原料气体喷嘴构成为最上部倾斜地开口。
8.根据权利要求1所述的衬底处理装置,所述原料气体为有机系原料,并且所述规定温度为400℃以上且小于600℃。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造