[发明专利]衬底处理装置有效

专利信息
申请号: 201710076980.7 申请日: 2017-02-13
公开(公告)号: CN107086189B 公开(公告)日: 2020-08-18
发明(设计)人: 藤野敏树;藤井优磨;野野村一树;马场美德;竹林雄二;寿崎健一 申请(专利权)人: 株式会社国际电气
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;C23C16/455
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 杨宏军;李文屿
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 衬底 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种衬底处理装置,具有:

处理室,搭载并收纳多个衬底;

加热系统,以规定温度加热所述处理室;

原料气体供给系统,具有原料气体喷嘴,并且从所述原料气体喷嘴向所述处理室供给原料气体,所述原料气体喷嘴在所述处理室的所述衬底的搭载方向上延伸且具有多个供给孔和多个减压孔,所述多个供给孔在与所述衬底的搭载区域相对应的高度开口,所述多个减压孔在比所述多个供给孔更靠下部且所述原料气体喷嘴内变得比所述规定温度低的位置开口,降低所述原料气体喷嘴内的压力,所述减压孔的开口面积构成为大于所述供给孔的开口面积;

反应气体供给系统,向所述处理室供给与所述原料气体反应的反应气体;和

控制部,构成为控制所述加热系统、所述原料气体供给系统和所述反应气体供给系统,交替进行下述处理从而在所述衬底上形成膜:将以搭载状态收纳了多个衬底的所述处理室以所述规定温度加热,并且从所述原料气体喷嘴向所述处理室供给所述原料气体的处理;和向所述处理室供给所述反应气体的处理。

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置,所述多个供给孔及所述多个减压孔的总开口面积分别相对于所述多个供给孔的总开口面积和所述多个减压孔的总开口面积之和的比率,分别被设定为使得所述原料气体喷嘴内的温度及压力之积成为所述原料气体在所述原料气体喷嘴内不发生自分解的值。

3.根据权利要求1所述的衬底处理装置,所述多个供给孔具有从所述原料气体喷嘴的上游向下游而逐渐变大的开口面积。

4.根据权利要求1所述的衬底处理装置,所述多个减压孔分别具有相同的开口面积。

5.根据权利要求1所述的衬底处理装置,所述多个供给孔之中的最下段的供给孔与所述多个减压孔之中的最上段的减压孔之间的距离大于所述最下段的供给孔的孔径。

6.根据权利要求1所述的衬底处理装置,所述原料气体喷嘴构成为最上部向上开口。

7.根据权利要求6所述的衬底处理装置,所述原料气体喷嘴构成为最上部倾斜地开口。

8.根据权利要求1所述的衬底处理装置,所述原料气体为有机系原料,并且所述规定温度为400℃以上且小于600℃。

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