[发明专利]一种用于空间X射线通信的激光调制脉冲X射线源在审
申请号: | 201710078006.4 | 申请日: | 2017-02-14 |
公开(公告)号: | CN106960775A | 公开(公告)日: | 2017-07-18 |
发明(设计)人: | 刘云鹏;杭爽;汤晓斌;李欢 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
主分类号: | H01J35/02 | 分类号: | H01J35/02;H01J35/06 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所32237 | 代理人: | 贺翔 |
地址: | 210016 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 空间 射线 通信 激光 调制 脉冲 | ||
1.一种用于空间X射线通信的激光调制脉冲X射线源,其特征在于:包括光纤接口(1)、阴极底座(2)、激光调制阴极(3)、聚焦电极(4)、除气装置(5)、真空腔室外壳(6)以及阳极金属靶(7),所述光纤接口(1)与用于输入激光信号的光纤相连,激光调制阴极(3)与光纤接口(1)相邻,并通过阴极底座(2)固定于真空腔室外壳(6)上,聚焦电极(4)位于真空腔室外壳(6)的内侧壁上,除气装置(5)位于真空腔室外壳(6)的内侧壁上且位于聚焦电极(4)的下方,阳极金属靶(7)固定于真空腔室外壳(6)上。
2.如权利要求1所述的用于空间X射线通信的激光调制脉冲X射线源,其特征在于:所述激光调制阴极(3)由负阴极亲和势光电阴极与微通道板(36)叠合而成,且外侧包裹有阴极外壳(37),所述负阴极亲和势光电阴极为由玻璃基底(31)、Si3N4增透层(32)、窗口层(33)、砷化镓GaAs发射层(34)、Cs:O激活层(35)自上而下紧密贴合形成的多层结构。
3.如权利要求2所述的用于空间X射线通信的激光调制脉冲X射线源,其特征在于:所述砷化镓GaAs发射层(34)内部由于掺杂方式不同分为两个区域:一区为大梯度指数掺杂区域,满足:一区内任意厚度x处的空穴掺杂浓度为N(x)=N0exp(-βx),其中系数β=4×ln10/L,L为砷化镓GaAs发射层(34)一区的厚度,在厚度为0处,即砷化镓GaAs发射层(34)一区左界面处,空穴掺杂浓度N(0)为1019cm-3量级,而在厚度为L处,即砷化镓GaAs发射层(34)一区右界面处,空穴掺杂浓度N(L)为1015cm-3量级,一区中产生一个强度为的匀强电场,其中k为玻尔兹曼常数,温度T=300K,q为电子电荷量,二区为重掺杂区域,二区掺杂浓度NA在1018~1019cm-3之间,厚度为亚微米量级。
4.如权利要求3所述的用于空间X射线通信的激光调制脉冲X射线源,其特征在于:所述微通道板(36)由圆形片状铅玻璃制成,厚度D为300~500μm,微通道板(36)的两个面镀有电极,电极两端外加高压V1,V1≥1000V,且电子输出面为高电势。
5.如权利要求4所述的用于空间X射线通信的激光调制脉冲X射线源,其特征在于:所述微通道板(36)开孔直径为5~20μm,微通道倾斜角度为θ为8~10°,工作区直径L1≥14.5mm,电极区直径L2≥17mm,整体直径L3≥17.9mm。
6.如权利要求4所述的用于空间X射线通信的激光调制脉冲X射线源,其特征在于:所述聚焦电极(4)为中空圆柱结构,内径≥18mm,由导电材料制成,保持聚焦电极与激光调制阴极之间的电势差V2为100~900V,且聚焦电极为高电势端,作用于阳极金属靶(7)上的电子束斑面积≤2mm2。
7.如权利要求6所述的用于空间X射线通信的激光调制脉冲X射线源,其特征在于:所述阳极金属靶(7)为透射式薄靶,由金属银Ag制成,厚度为2~8μm,出射面镀有0.1~0.8mm厚铍Be材质窗口层,阳极金属靶(7)与聚焦电极间电势差V3维持在20kV~100kV之间,且阳极金属靶为高电势端。
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