[发明专利]一种高比表面钽电容器阳极钽箔及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710078353.7 申请日: 2017-02-14
公开(公告)号: CN106847511B 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: 王振洋;张淑东;李年;张忠平;赵婷婷;江海河 申请(专利权)人: 中国科学院合肥物质科学研究院
主分类号: H01G9/048 分类号: H01G9/048;H01G9/00
代理公司: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 代理人: 卢敏;何梅生
地址: 230031 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 比表面 钽电容 阳极 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高比表面钽电容器阳极钽箔的制备方法,其特征在于:

所述高比表面钽电容器阳极钽箔,包括钽片层和钽微纳米颗粒层,所述钽片层为片状结构,所述钽微纳米颗粒层一体化形成在所述钽片层的至少一个表面上;

所述高比表面钽电容器阳极钽箔的制备方法为:取钽片,用酒精清洗去除钽片表面的油污和灰尘;然后将钽片放在光学平台上,并用夹具定位、夹紧;最后调整激光器参数和光斑直径,控制激光束对钽片表面进行点扫描处理或线扫描处理,即在钽片层表面一体化形成钽微纳米颗粒层;

对钽片表面进行点扫描处理时,调整所述激光器的能量范围为15~25w、扫描速度范围为500~1000mm/s、光斑直径为10~30μm;

对钽片表面进行线扫描处理时,调整所述激光器的能量范围为25~30w、扫描速度范围为600~1000mm/s、线宽为10~30μm、线间距10~30μm,横扫或竖扫。

2.如权利要求1所述的高比表面钽电容器阳极钽箔的制备方法,其特征在于:对钽片表面进行点扫描处理或线扫描处理的处理区域为任意形状。

3.如权利要求1所述的高比表面钽电容器阳极钽箔的制备方法,其特征在于:所述钽微纳米颗粒层至少为一层。

4.如权利要求1所述的高比表面钽电容器阳极钽箔的制备方法,其特征在于:所述钽微纳米颗粒层的面积小于或等于所述钽片层的表面积。

5.如权利要求1所述的高比表面钽电容器阳极钽箔的制备方法,其特征在于:所述钽片层的厚度为5μm~2mm。

6.如权利要求1所述的高比表面钽电容器阳极钽箔的制备方法,其特征在于:所述钽微纳米颗粒层的厚度为1μm~40μm,构成所述钽微纳米颗粒层的钽微纳米颗粒尺寸为1nm~20μm。

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