[发明专利]微LED器件及显示装置有效
申请号: | 201710078454.4 | 申请日: | 2017-02-14 |
公开(公告)号: | CN106848026B | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 吕振华;邱云;董学;王丹;王延峰;王飞;王美丽;王慧娟;杜渊鑫;徐晓玲;王志东 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/42 | 分类号: | H01L33/42;B82Y30/00;B82Y20/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 器件 显示装置 | ||
本发明提供了一种微LED器件,包括出射电极、对置电极和发光功能层,所述出射电极和所述对置电极相对设置,所述发光功能层设置在所述出射电极和所述对置电极之间,所述出射电极为纳米金属膜层,本发明还提供一种包括上述微LED器件的显示装置。本发明提供的微LED器件,能够提高光微LED器件的提取效率。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种微LED器件及显示装置。
背景技术
目前,微LED器件通常包括相对设置的第一电极和第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的发光功能层,在第一电极和第二电极上加载电信号时可激发发光功能层发光,发光功能层发出的光信号可自第一电极射出,从而实现发光。
然而,现有的微LED器件在实际应用中发现:微LED器件的光提取效率较低。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种微LED器件和显示装置,能够提高光微LED器件的提取效率。
为解决上述问题之一,本发明提供了一种微LED器件,包括出射电极、对置电极和发光功能层,所述出射电极和所述对置电极相对设置,所述发光功能层设置在所述出射电极和所述对置电极之间,所述出射电极为纳米金属膜层。
优选地,所述纳米金属膜层为铝膜层;所述发光功能层为紫外光发光功能层。
优选地,所述铝膜层的厚度取值范围为3nm~7nm。
优选地,所述铝膜层的厚度取值范围为4.5nm~5.5nm。
优选地,所述紫外光发光功能层发出的紫外光的波长范围为260nm~300nm。
优选地,所述对置电极具有反射光信号的功能。
优选地,在所述发光功能层上设置有介电层;所述介电层的中心区域设置有开口;所述出射电极形成在所述介电层的表面和所述发光功能层的与开口对应的表面上。
优选地,在所述出射电极上还设置有光致发光层,用于使所述出射电极出射的光激发所述光致发光层发出所需颜色的光。
优选地,所述光致发光层包括量子点发光层或荧光粉发光层。
本发明还提供一种显示装置,包括本发明上述提供的微LED器件。
本发明具有以下有益效果:
在本发明中,采用纳米金属薄膜作为出射电极,能够很好地实现对光信号地收集再发射,从而能够提高光微LED器件的提取效率;并且,纳米金属薄膜的透明度能够满足出射电极作为出射的要求。
附图说明
图1为本发明实施例1提供的微LED器件的结构示意图;
图2为本发明实施例2提供的微LED器件的结构示意图。
附图标记包括:1,出射电极;2,对置电极;3,发光功能层;4,介电层;5,光致发光层;6,位错。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图来对本发明提供的微LED器件及显示装置进行详细描述。
实施例1
图1为本发明实施例1提供的微LED器件的结构示意图;请参阅图1,本实施例1提供的微LED器件,包括出射电极1、对置电极2和发光功能层3,其中,所谓出射电极1是指作为光信号出射的电极;出射电极1和对置电极2相对设置,发光功能层3设置在出射电极1和对置电极2之间,具体地,发光功能层3包括P型半导体层、P-N结和N型半导体层;出射电极1为纳米金属膜层。
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