[发明专利]一种防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法

权利要求书

1.一种防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法，其特征在于，将多晶硅氧化的工艺处理从在逻辑栅极刻蚀之后执行变化到在闪存单元字线刻蚀之后执行，具体步骤包括：

第一步骤：形成逻辑栅极多晶硅层，并执行栅极多晶硅刻蚀处理；

第二步骤：形成闪存单元字线多晶硅层，并执行字线多晶硅刻蚀处理；

第三步骤：对刻蚀后的逻辑栅极多晶硅层和闪存单元字线多晶硅层执行多晶硅氧化处理。

2.根据权利要求1所述的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法，其特征在于，所述防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法用于制造闪存存储器。

3.根据权利要求1所述的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法，其特征在于，所述防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法制造分栅快闪存储器存储单元。

4.根据权利要求3所述的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法，其特征在于，分栅快闪存储器存储单元包括：提供衬底，形成在衬底中的逻辑区和闪存单元区，闪存单元区中形成源线和位线，以及位于所述源线和位线之间的字线。

5.根据权利要求1所述的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法，其特征在于，逻辑栅极多晶硅刻蚀处理包括：涂覆第一光刻胶，形成第一光刻胶的图案，并且利用第一光刻胶的图案对逻辑栅极多晶硅层执行刻蚀工艺。

6.根据权利要求1所述的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法，其特征在于，栅极多晶硅刻蚀处理包括：涂覆第二光刻胶，形成第二光刻胶的图案，并且利用第二光刻胶的图案对闪存单元字线多晶硅层执行刻蚀工艺。

7.根据权利要求1所述的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法，其特征在于，多晶硅氧化处理包括：对刻蚀后的逻辑栅极多晶硅层和闪存单元字线多晶硅层执行快速热氧化处理。

8.根据权利要求7所述的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法，其特征在于，在执行快速热氧化之前对晶圆执行预清洗。

9.根据权利要求1所述的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法，其特征在于，在第一步骤、第二步骤和第三步骤之后执行轻掺杂注入区的离子注入。