[发明专利]一种超结沟槽MOS结构半导体装置在审
申请号: | 201710079518.2 | 申请日: | 2017-02-14 |
公开(公告)号: | CN108428742A | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 朱江 | 申请(专利权)人: | 朱江 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 113200 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超结 结构半导体 沟槽MOS 绝缘层 半导体材料 半导体装置 电荷补偿区 功率MOSFET 器件栅电极 半导体结 导电通路 导通电阻 峰值电场 基础结构 整流器件 反型区 沟槽栅 漂移层 去除 | ||
1.一种超结沟槽MOS结构半导体装置,其特征在于:包括:
衬底层,为高浓度掺杂第一导电半导体材料;
漂移层,为第一导电半导体材料,位于衬底层之上;
多个沟槽,位于漂移层中,沟槽内上部侧壁表面设置有绝缘层,沟槽内下部填充有第二导电半导体材料,与衬底层相连,沟槽内上部填充多晶硅形成栅极导电材料;
体区,为第二导电半导体材料,位于沟槽之间漂移层内上部;
源区,为第一导电半导体材料,临靠沟槽侧壁和体区表面。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:所述的沟槽内下部侧壁表面设置绝缘层,或者沟槽内下部侧壁表面不设置绝缘层。
3.一种超结沟槽MOS结构半导体装置,其特征在于:包括:
衬底层,为高浓度掺杂第一导电半导体材料;
漂移层,为第一导电半导体材料,位于衬底层之上;
多个沟槽,位于漂移层中,沟槽内上部侧壁表面设置有绝缘层,沟槽内下部填充有第二导电半导体材料,与衬底层相连,沟槽内上部填充多晶硅形成栅极导电材料;
体区,为第二导电半导体材料,位于沟槽之间漂移层内上部;
漂移层第二导电半导体材料,位于沟槽之间漂移层内下部中心位置,与体区相连,漂移层第二导电半导体材料与沟槽之间为漂移层第一导电半导体材料;
源区,为第一导电半导体材料,临靠沟槽侧壁和体区表面。
4.如权利要求3所述的半导体装置,其特征在于:所述的沟槽内下部侧壁表面设置绝缘层,或者沟槽内下部侧壁表面不设置绝缘层。
5.一种超结沟槽MOS结构半导体装置,其特征在于:包括:
衬底层,为高浓度掺杂第一导电半导体材料;
漂移层,为第一导电半导体材料,位于衬底层之上;
多个沟槽,位于漂移层中,沟槽内上部侧壁表面设置有绝缘层,沟槽内下部填充有第一导电半导体材料,与衬底层相连,沟槽内上部填充多晶硅形成栅极导电材料,沟槽内上部的多晶硅和沟槽内的第一导电半导体材料之间设置第二导电半导体材料;
体区,为第二导电半导体材料,位于沟槽之间漂移层内上部;
漂移层第二导电半导体材料,位于沟槽之间漂移层内下部中心位置,与体区相连,漂移层第二导电半导体材料与沟槽之间为漂移层第一导电半导体材料;
源区,为第一导电半导体材料,临靠沟槽侧壁和体区表面。
6.如权利要求5所述的半导体装置,其特征在于:所述的沟槽内下部侧壁表面设置绝缘层,或者沟槽内下部侧壁表面不设置绝缘层。
7.一种超结沟槽MOS结构半导体装置,其特征在于:包括:
衬底层,为高浓度掺杂第一导电半导体材料;
漂移层,为第一导电半导体材料,位于衬底层之上;
多个沟槽,位于漂移层中,沟槽内侧壁表面设置有绝缘层,沟槽内下部填充有第二导电半导体材料,其底部与漂移层相连,沟槽内上部填充多晶硅形成栅极导电材料,沟槽内的第二导电半导体材料和沟槽内栅极导电材料之间设置绝缘层;
体区,为第二导电半导体材料,位于沟槽之间漂移层内上部;
漂移层第二导电半导体材料,位于体区下部,不与沟槽相连;
源区,为第一导电半导体材料,临靠沟槽侧壁和体区表面。
8.如权利要求7所述的半导体装置,其特征在于:所述的沟槽内下部第二导电半导体材料为第二导电多晶硅。
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