[发明专利]消除叠层材料预混层的方法

权利要求书

1.一种消除叠层材料预混层的方法，其特征在于：所述的方法包括以下步骤：

当叠层材料为金属叠层材料时，在所述金属叠层材料的每两种金属材料层之间设置一层非金属材料层或半导体材料层，将所述非金属材料层或半导体材料层作为过渡材料，通过降低金属材料的活性，消除所述金属叠层材料的预混层；其中所述金属叠层材料为金属材料与金属材料按照一定厚度比例交替沉积的材料，加入所述过渡材料后，组成金属叠层的两层金属材料层之间为消除预混层所用的过渡材料层；或者，

当叠层材料为非金属叠层材料时，在所述非金属叠层材料的每两种金属与非金属材料之间设置一层组成金属氧化物的对应金属材料层，将所述金属材料层作为过渡材料，用于阻挡金属与非金属材料间的氧原子扩散，消除所述非金属叠层材料的预混层，其中所述非金属叠层材料为金属材料与非金属材料按照一定厚度比例交替沉积的材料，所述非金属材料为金属氧化物，而所述过渡材料则为组成金属氧化物的对应的金属材料，加入所述过渡材料后，组成非金属叠层的金属层与金属氧化物层之间为消除预混材料层所用的过渡材料层，即为组成金属氧化物的对应的金属材料层。

2.根据权利要求1所述的消除叠层材料预混层的方法，其特征在于当叠层材料为金属叠层材料时，所述过渡材料包括：石墨、金刚石、石墨烯、碳化硅、氮化硅或硅。

3.根据权利要求1所述的消除叠层材料预混层的方法，其特征在于当叠层材料为金属叠层材料时，所述过渡材料的制备方式与所述金属叠层材料的制备方式一致。

4.根据权利要求3所述的消除叠层材料预混层的方法，其特征在于当所述金属叠层材料采用化学气相沉积方法制备时，则所述过渡材料采用化学气相沉积方法制备。

5.根据权利要求1所述的消除叠层材料预混层的方法，其特征在于当叠层材料为金属叠层材料时，所述非金属材料层或半导体材料层的厚度为5nm-30nm。

6.根据权利要求1所述的消除叠层材料预混层的方法，其特征在于当叠层材料为非金属叠层材料时，所述过渡材料的制备方式与所述金属叠层材料的制备方式一致。

7.根据权利要求6所述的消除叠层材料预混层的方法，其特征在于当所述非金属叠层材料采用物理气相沉积方法制备时，则所述过渡材料采用物理气相沉积方法制备。

8.根据权利要求1所述的消除叠层材料预混层的方法，其特征在于当叠层材料为非金属叠层材料时，所述金属材料层的厚度为5nm-30nm。