[发明专利]一种图像传感器有效
申请号: | 201710081615.5 | 申请日: | 2017-02-15 |
公开(公告)号: | CN108428706B | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 黄翌敏 | 申请(专利权)人: | 奕瑞影像科技(太仓)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/235;H04N5/32 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 215434 江苏省苏州市太*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,其特征在于,所述图像传感器包括:
阵列结构,所述阵列结构包括基板,及位于所述基板上方的图像传感器阵列;
位于所述阵列结构上方的闪烁体;
包围所述阵列结构的反光层,其中,所述反光层设有至少一个暴露所述阵列结构的开口;
位于所述开口处的曝光探测结构;以及
位于所述反光层下方的消背散射层;
其中,所述曝光探测结构包括与所述开口相对的曝光传感器,以及位于所述开口及曝光传感器之间的光学胶层,其中,所述光学胶层的折射率与所述基板的折射率相近。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述光学胶层的折射率与所述基板的折射率相等。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述曝光探测结构包括与所述阵列结构连接的光电二极管。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述反光层包括高反膜。
5.根据权利要求4所述的图像传感器,其特征在于,所述高反膜包括铝膜或银膜。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述反光层的厚度为10um~0.2mm。
7.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述图像传感器还包括包围所述闪烁体的封装层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的