[发明专利]基板清洗装置和基板处理装置

说明书

基板清洗装置具有：清洗部件(11、21)，其与基板(W)抵接而进行该基板(W)的清洗；部件旋转部(15、25)，其使所述清洗部件(11、21)旋转；按压驱动部(19、29)，其将所述清洗部件(11、21)向所述基板(W)按压；转矩检测部(16、26)，其对施加给所述部件旋转部(15、25)的转矩进行检测；以及控制部(50)，其根据来自所述转矩检测部(16、26)的检测结果来控制所述按压力。

技术领域

本发明涉及对半导体晶片等基板进行处理的基板清洗装置和基板处理装置。

本申请相对于在2016年2月15日申请的日本专利申请、即日本专利特愿2016-26134号主张优先权，并且作为参照将其全部内容编入本申请。

背景技术

近年来，伴随着半导体器件的微细化，对于具有微细构造的基板(形成有物理性能不同的各种材料膜的基板)进行加工。例如，在利用金属对形成于基板的布线槽进行嵌入的镶嵌布线形成工序中，在镶嵌布线形成后通过基板研磨装置(CMP装置)将多余的金属研磨去除，而在基板表面形成有物理性能不同的各种材料膜(金属膜、阻挡膜、绝缘膜等)。在这样的基板表面存在CMP研磨所使用的浆料残留物或金属研磨屑(Cu研磨屑等)。因此，在基板表面复杂且清洗困难的情况等未充分进行基板表面的清洗的情况下，有可能因残渣物等的影响而产生泄漏或密接性不良，从而成为可靠性降低的原因。因此，在进行半导体基板的研磨的CMP装置中，在研磨后的清洗工序中进行辊部件擦洗或笔部件擦洗。

并且，关于辊部件擦洗公知有如下：设置有对辊部件荷重进行测定的测压单元，该测压单元设置在升降机构的升降部与辊部件支架之间，根据测压单元的测定值而经由致动器的控制设备对辊部件荷重进行反馈控制(日本专利特开2014-38983号公报)。

但是，在采用像日本专利特开2014-38983号公报所公开的测压单元的情况下，有时无法高精度地检测从测压单元施加给基板的力，而无法准确地测量出从辊部件施加期望的力来清洗基板。

发明内容

本发明是鉴于该问题点而完成的，提供如下的基板清洗装置和基板处理装置：能高精度地从辊部件、笔部件等清洗部件向基板施加期望的力，并且能够清洗基板。

本发明的基板清洗装置具有：清洗部件，其与基板抵接而进行该基板的清洗；部件旋转部，其使所述清洗部件旋转；按压驱动部，其将所述清洗部件向所述基板按压；转矩检测部，其对施加给所述部件旋转部的转矩进行检测；以及控制部，其根据来自所述转矩检测部的检测结果来控制基于所述按压驱动部的所述清洗部件对所述基板的按压力。

本发明的基板清洗装置也可以采用以下结构：该基板清洗装置还具有按压力检测部，该按压力检测部检测所述按压力，所述控制部还根据来自所述按压力检测部的检测结果来控制所述按压力。

在本发明的基板清洗装置中，也可以采用以下结构：所述控制部在所述清洗部件与所述基板抵接之后直到第1时间到达为止根据来自所述按压力检测部的所述检测结果来控制所述按压力，并在所述第1时间经过之后根据来自所述转矩检测部的所述检测结果来控制所述按压力。

在本发明的基板清洗装置中，也可以采用以下结构：所述控制部在所述第1时间到达时，根据来自所述按压力检测部的所述检测结果来判断所述按压力是否处于第1范围内，并在所述按压力处于所述第1范围的范围外的情况下控制所述按压驱动部以使所述按压力处于所述第1范围内。

在本发明的基板清洗装置中，也可以采用以下结构：所述转矩检测部在规定的时间内多次检测所述转矩，所述控制部根据由所述转矩检测部检测出的多个转矩的值来控制所述按压力。

本发明的基板清洗装置也可以采用以下结构：该基板清洗装置还具有清洗液提供部，该清洗液提供部向所述基板提供清洗液，所述控制部对所述按压力进行控制以使得相对于至少2个不同种类的清洗液采取不同值的转矩。