[发明专利]使用埋入式架桥硅穿通孔内连件的半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，其特征在于，包含有：

一树脂模塑封装衬底，包含一树脂模塑堆芯、多个金属插塞，贯穿所述树脂模塑堆芯的一正面及一背面、一前侧重分布层结构，整体构成在所述树脂模塑堆芯的所述正面上，以及一背侧重分布层结构，整体构成在所述树脂模塑堆芯的所述背面上；

一架桥硅穿通孔内连件，埋设于所述树脂模塑堆芯内，其中所述架桥硅穿通孔内连件包含一硅基底部、一内埋的重分布层结构，整体构成在所述硅基底部上，以及多个穿硅通孔，设于所述硅基底部中，其中所述多个穿硅通孔电连接所述背侧重分布层结构；

多个连接件，埋设于所述树脂模塑堆芯内，其中所述多个连接件介于所述架桥硅穿通孔内连件的所述重分布层结构与所述前侧重分布层结构之间；

一第一半导体芯片，设于所述前侧重分布层结构上；

一第二半导体芯片，设于所述前侧重分布层结构上，其中所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片位于共平面；以及

多个锡球，设于所述背侧重分布层结构的一下表面上。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片分别通过多个第一金属凸块与多个第二金属凸块设置在所述前侧重分布层结构上。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，其特征在于，所述多个第一金属凸块与所述多个第二金属凸块具有一凸块间距，其与所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片的输出/输入垫间距相同。

4.根据权利要求3所述的半导体封装，其特征在于，所述凸块间距小于100微米。

5.根据权利要求3所述的半导体封装，其特征在于，所述锡球具有一锡球间距，其与一印刷电路板或母板上的球垫间距相同。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片经由所述前侧重分布层结构与所述多个金属插塞电连接至所述背侧重分布层结构。

7.根据权利要求6所述的半导体封装，其特征在于，电源信号或接地信号经由所述多个金属插塞传递。

8.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片通过所述前侧重分布层结构、所述多个连接件与所述架桥硅穿通孔内连件的所述重分布层结构互相电连接。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，数字信号经由所述前侧重分布层结构、所述多个连接件、所述架桥硅穿通孔内连件的所述重分布层结构，及所述架桥硅穿通孔内连件的所述多个穿硅通孔传递。

10.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述架桥硅穿通孔内连件被一模塑料模封包覆。

11.一种制作半导体封装的方法，其特征在于，包含有：

提供一第一载板；

于所述第一载板上形成一模版层；

于所述模版层中形成多个导孔；

分别于所述多个导孔中形成金属插塞；

移除所述模版层，于所述第一载板上留下所述些金属插塞；

于所述第一载板上安装一架桥硅穿通孔内连件；

形成一模塑料，将所述些金属插塞与所述架桥硅穿通孔内连件包覆起来；

抛光所述模塑料与所述架桥硅穿通孔内连件，显露出所述架桥硅穿通孔内连件的穿硅通孔以及埋设在所述模塑料中的所述些金属插塞；

于所述模塑料上形成一背侧重分布层结构；

于所述背侧重分布层结构上形成多个锡球；

移除所述第一载板；

将一第二载板与所述多个锡球贴合；

于所述模塑料上形成一前侧重分布层结构；

将一第一半导体芯片与一第二半导体芯片安置于所述前侧重分布层结构上；以及

移除所述第二载板。

12.根据权利要求11所述的制作半导体封装的方法，其特征在于，所述模版层包含一光刻胶层或一定向自组装材料。

13.根据权利要求11所述的制作半导体封装的方法，其特征在于，所述架桥硅穿通孔内连件包含一硅基底部、一重分布层结构，整体构成在所述硅基底部上，以及多个穿硅通孔，设于所述硅基底部中。