[发明专利]射频装置

说明书

本发明公开了一种射频装置，包含有一芯片，包括复数个穿孔以及至少一热穿孔；一讯号导线与一接地导线，设置于所述芯片的背面；一讯号金属片、一第一接地金属片与一第二接地金属片，设置于所述芯片的正面，其中，所述讯号金属片跨越形成于所述讯号导线与所述接地导线之间的一第二间隙，所述第一接地金属片以及所述第二接地金属片通过复数个穿孔耦接于所述接地导线，且所述第一接地金属片以及所述第二接地金属片至少部分包围该讯号金属片。

技术领域

本发明涉及一种射频(Radio Frequency，RF)装置，尤其涉及一种易于组装且可达到良好的高频表现的射频装置。

背景技术

随着科技演进，无线通讯科技已成为人类日常生活中重要的一部份，各式的电子通讯装置(如智能型手机、穿戴式装置、平板计算机等)皆利用无线射频(RF)前端模块(FEM)，以进行无线射频讯号的接收与发送。

近年来发展的射频装置包含有设置于射频装置的一芯片背面的一接地导线与一讯号导线，其中形成于接地导线与讯号导线间的一间隙需具有足够的宽度，才能预防组装时的短路问题，且降低射频装置与一外部电路组装时的难度。然而，该讯号导线间与该接地导线之间的间隙宽度往往牺牲了高频效能(及射频效能)，换句话说，当讯号导线与接地导线之间的间隙增宽度增加时，该射频效能越差。

因此，如何提供易于组装的射频装置，同时又可以达到良好的射频效能，就成了业界所努力的目标之一。

发明内容

本发明主要目的之一在于提供一种易于组装且可达到良好的高频表现的射频装置，以改善现有技术的缺点。

为了达到上述目的，本发明采用以下技术方案：

本发明的一种实施例公开了一种射频(Radio Frequency，RF)装置，包含有一芯片、一讯号导线、一接地导线、一讯号金属片、一第一接地金属片和一第二接地金属片，其中，所述芯片包括复数个穿孔(Via)以及至少一热穿孔(Hot Via)；所述讯号导线设置于所述芯片的背面；所述接地导线设置于所述芯片的背面，至少部分包围所述讯号导线，其中所述讯号导线沿一第一方向与所述接地导线之间形成一第一间隙，并沿一第二方向与所述接地导线之间形成一第二间隙；所述讯号金属片设置于所述芯片的正面，且通过所述至少一热穿孔耦接于所述讯号导线，其中所述讯号金属片跨越(Cross Over)所述讯号导线与所述接地导线之间的所述第二间隙；所述第一接地金属片和所述第二接地金属片设置于所述芯片的正面上；所述第一接地金属片以及所述第二接地金属片通过所述复数个穿孔耦接于所述接地导线，且所述第一接地金属片以及所述第二接地金属片至少部分包围所述讯号金属片。

附图说明

图1是本发明优选实施例的射频装置的背面示意图；

图2是图1中的射频装置的正面示意图；

图3是图1中的射频装置的正面透视示意图；

图4是图1中的射频装置的背面透视示意图；

图5是图3中A-A’线的剖面示意图；

图6是图1中的射频装置的传输系数与反射系数频率响应示意图；

图7是图2中B-B’线的剖面示意图；

图8是图2中C-C’线的剖面示意图；

图9A是应用本发明优选实施例的射频装置的单晶微波集成电路的正面示意图；

图9B是图9A中的单晶微波集成电路的背面示意图。

附图标记说明：

10 射频装置

90 单晶微波集成电路