[发明专利]一种钛酸钡薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种钛酸钡薄膜的制备方法，该方法包括如下步骤：

（1）基片处理

将绝缘基片切削研磨后，将绝缘基片依次用洗洁精、去离子水超声清洗10-15min，然后用质量百分数35％的浓氨水/质量百分数20％的双氧水/去离子水的混合溶液65-75℃处理20-25min，所述浓氨水、双氧水和去离子水的体积比为1:3:4，最后用去离子水超声清洗150-200s，取出、用干燥氮气吹干；

（2）制备钛酸钡靶材

将纳米BaTiO₃粉末在1000℃下压制成直径为75-100mm的BaTiO₃靶材；

将BaTiO₃靶材依次用无水乙醇、去离子水中分别清洗5-10min，以将BaTiO₃靶材表面的杂质清洁干净，然后再在烘箱中将BaTiO₃靶材烘干；

（3）将上述干燥后的绝缘基片的温度调至100-150℃，采用磁控溅射法，将所述钛酸钡靶材在所述绝缘基片上制成所述铁磁半导体薄膜材料；

磁控溅射制成所述铁磁半导体薄膜材料的具体条件为，溅射腔压强1-5Pa，溅射腔气氛为氩气，溅射功率为12-15W/cm²，沉积速率为10-100nm/min，溅射时间为3-5h。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤（1）中，所述切削需利用切削液进行，该切削液采用如下工艺制得：

向水中依次加入聚乙二醇、羟乙基乙二胺、三乙醇胺，混合均匀，静置20min，再加入FA/QB螯合剂，混合搅拌均匀，静置30min，得到切削液，其中切削液的各组分的重量百分比为：聚乙二醇15-25%，羟乙基乙二胺20-25%，三乙醇胺5-10%，FA/QB螯合剂10-15%，余量为水。