[发明专利]一种ZnGeP2半导体材薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种ZnGeP₂半导体材薄膜的制备方法，该方法包括如下步骤：

（1）基片处理

将绝缘基片切削研磨后，依次在酒精、丙酮和去离子水中超声清洗100-150s；然后，取出、用干燥氮气吹干；

（2）制备ZnGeP₂靶材

按摩尔比Zn:Ge:P＝1:1:2的比例分别称取Zn、Ge和P三种单质原料，将原料一起研磨均匀，装入石英管内，抽真空后，封烧石英管；

将石英管采用阶段性升温，先以25-35℃/h的升温速率升至400℃-450℃，恒温10-15h，继续升温至反应温度850-1000℃，恒温反应12-15h，最后自然降温至室温；

打开石英管，取出结晶较好的料块，用去离子水清洗干净，放置于烘箱中干燥处理，得到ZnGeP₂靶材；

（3）将上述干燥后的绝缘基片的温度调至100-150℃，采用磁控溅射法，将所述ZnGeP₂在所述绝缘基片上制成所述铁磁半导体薄膜材料；

磁控溅射制成所述铁磁半导体薄膜材料的具体条件为，溅射腔压强1-5Pa，溅射腔气氛为氩气，溅射功率为12-15W/cm²，沉积速率为10-100nm/min，溅射时间为3-5h。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤（1）中，所述切削需利用切削液进行，该切削液采用如下工艺制得：

向水中依次加入聚乙二醇、羟乙基乙二胺、三乙醇胺，混合均匀，静置20min，再加入FA/QB螯合剂，混合搅拌均匀，静置30min，得到切削液，其中切削液的各组分的重量百分比为：聚乙二醇15-25%，羟乙基乙二胺20-25%，三乙醇胺5-10%，FA/QB螯合剂10-15%，余量为水。