[发明专利]一种用于热光伏电池的吸收膜在审
申请号: | 201710082379.9 | 申请日: | 2017-02-12 |
公开(公告)号: | CN108428746A | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 熊保鸿 | 申请(专利权)人: | 无锡马丁格林光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/04 |
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地址: | 214176 江苏省无锡惠山经济开*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热光伏电池 石墨烯层 石墨烯 吸收膜 表面等离子共振 光电转换效率 渐变折射率 颗粒组成 远红外光 长波长 宽波段 纳米锥 迁移率 热光子 上表面 下表面 压印 和声 吸收 | ||
一种用于热光伏电池的吸收膜,包括石墨烯层、Au层、Ag层、PMMA层,其特征在于:在所述Au层与Ag层的中间有石墨烯层,在所述Au层的下表面有石墨烯层,在所述Ag层的上表面有PMMA层,所述Ag层由多个半球Ag颗粒组成。本发明采用压印的纳米锥结构,可以吸收更宽波段的红外及远红外光,同时又起到渐变折射率;Ag颗粒夹在PMMA和石墨烯之间,可以发生表面等离子共振,起到对光的局域;Au层,用于更长波长的光的局域;石墨烯用于提高热光子和声子的迁移率;提高热光伏电池的光电转换效率。
技术领域
本发明属于太阳能热利用技术领域,具体为一种用于热光伏电池的吸收膜。
背景技术
热光伏电池也叫温差电池,主要利用占太阳光中大部分红外光以及更长波长的光来发电,发电原理类似于目前市面上的光伏。目前,热光伏电池的吸收膜为一层薄薄的石墨烯,因此,热光伏电池的转化效率普遍较低。
发明内容
本发明针对上述问题,提供一种用于热光伏电池的吸收膜,可以吸收红外及远红外绝大多数有用光,提高热光伏电池的光电转换效率。
本发明的技术方案是:一种用于热光伏电池的吸收膜,包括石墨烯层、Au层、Ag层、PMMA层,其特征在于:在所述Au层与Ag层的中间有石墨烯层,在所述Au层的下表面有石墨烯层,在所述Ag层的上表面有PMMA层,所述Ag层由多个半球Ag颗粒组成。
所述Au层的厚度为5~20纳米。
所述半球Ag颗粒的直径为10~15纳米。
所述PMMA层的厚度为90~100纳米。
本发明的有益效果是:本发明提供一种用于热光伏电池的吸收膜,采用压印的纳米锥结构,可以吸收更宽波段的红外及远红外光,同时又起到渐变折射率;Ag颗粒夹在PMMA和石墨烯之间,可以发生表面等离子共振,起到对光的局域;Au层,用于更长波长的光的局域;石墨烯用于提高热光子和声子的迁移率;提高热光伏电池的光电转换效率。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
图中,1.热光伏电池基体,2.石墨烯层,3.Au层,4.Ag层,5.PMMA层,6.半球Ag颗粒,7.电极引出端。
具体实施方式:
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
如图1所示,本发明是一种用于热光伏电池的吸收膜,包括石墨烯层2、Au层3、Ag层4、PMMA层5,其特征在于:在所述Au层3与Ag层4的中间有石墨烯层2,在所述Au层3的下表面有石墨烯层2,在所述Ag层4的上表面有PMMA层5,所述Ag层4由多个半球Ag颗粒6组成。
所述Au层3的厚度为5~20纳米。
所述半球Ag颗粒6的直径为10~15纳米。
所述PMMA层5的厚度为90~100纳米。
本发明通过以下工序得到:
(1)用酒精清洗热光伏电池基体1,热光伏电池基体1一端设有电极引出端7,然后用化学合成方法,在热光伏电池基体1表面长出薄薄一层石墨烯层2;
(2)采用磁控溅射工艺,蒸镀一层Au层3,厚度在5~20纳米;
(3)在蒸镀完Au层3的表面再合成一层石墨烯层2,然后采用电子束蒸发工艺,时间15分钟,温度750~770℃,完成多个半球Ag颗粒6的制作,制成Ag层4,半球Ag颗粒6的直径为10~15纳米;
(4)在制成Ag层4后,璇涂90~100纳米厚的PMMA层5;
(5)固化后,用纳米氧化铝箔进行压印,表面形成压印的纳米锥结构,制作完成。
本发明提供一种用于热光伏电池的吸收膜,采用压印的纳米锥结构,可以吸收更宽波段的红外及远红外光,同时又起到渐变折射率;Ag颗粒夹在PMMA和石墨烯之间,可以发生表面等离子共振,起到对光的局域;Au层,用于更长波长的光的局域;石墨烯用于提高热光子和声子的迁移率;提高热光伏电池的光电转换效率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的